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F1162NBGI8

产品分类: RF混频器
产品描述: 330mA 8.9dB 9.9dB 通用 2 2.3GHz,2.7GHz 5.25V 2.7GHz 降频变频器 4.75V QFN 贴片安装 6mm(长度)*6mm(宽度)
供应商型号: F1162NBGI8
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
RENESAS ELECTRONICS RF混频器 F1162NBGI8

F1162NBGI8概述

    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Dual Downconverting Mixer F1162NBGI

    产品简介


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Dual Downconverting Mixer F1162NBGI 是一款适用于多模式、多载波基站接收机的高性能混频器。该器件能够处理从2300到2700 MHz的射频(RF)信号,并支持50到500 MHz的中频(IF)频率。设计用于低侧和高侧注入的应用场景,它广泛应用于通信系统,如4G LTE和5G NR基站。

    技术参数


    - 工作频率范围:RF 频率范围为2300至2700 MHz,IF 频率范围为50至500 MHz,LO 频率范围为1800至2900 MHz。
    - 电源电压:单个5V电源供电。
    - 增益:标准模式下,增益为8.9 dB;低电流模式下,增益为8.4 dB。
    - 输入阻抗:单端射频输入阻抗为50 Ω。
    - 输出阻抗:差分中频输出阻抗为200 Ω。
    - 噪声系数:标准模式下的噪声系数为9.9 dB,低电流模式下的噪声系数为9.7 dB。
    - 三阶交调截点 (IP3):标准模式下为+43 dBm,低电流模式下为+37.7 dBm。
    - 工作温度范围:-40°C 至 +100°C。
    - 连续功率耗散:2.2 W。

    产品特点和优势


    - 双路径设计:支持多样性系统,适合多载波系统。
    - 高线性度:在标准模式下提供+43 dBm的IP3,可以承受较高的信号水平。
    - 低功耗:通过调整电阻值和一个切换引脚进入低电流模式,将功耗降至230 mA,同时保持良好的性能。
    - 高性能:具有13 dBm的1 dB压缩点 (P1dBI),保证信号处理的高效性。
    - 兼容性:引脚兼容现有解决方案,便于替换和升级。
    - 快速恢复时间:从电源关闭状态到正常工作的转换时间为小于200 ns。

    应用案例和使用建议


    F1162NBGI 主要应用于4G LTE和5G NR基站的接收机前端,用于将高频RF信号转换为较低频率的IF信号。在部署时,可以根据实际需求选择标准模式或低电流模式。例如,在需要提高能效的应用中,可以选择低电流模式运行,以降低功耗并延长系统使用寿命。此外,对于敏感应用,确保正确的电源管理和温度控制是必要的,以避免性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件支持多模式、多载波系统的应用,引脚兼容现有的解决方案,便于集成和替代。
    - 支持:厂商提供了详细的技术手册和支持文档,涵盖安装、配置和维护等方面的信息,用户可以轻松获取并使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确设置电源电压?
    解决方案:确保VCC在4.75 V至5.25 V范围内,这样可以保证最佳的工作性能。
    - 问题2:在低温环境下工作时,输出IP3是否会受影响?
    解决方案:测试表明,在-40°C的低温环境下,输出IP3依然保持在预期范围内,不会显著降低。
    - 问题3:在高电流模式下,如何调节输出功率?
    解决方案:可以通过调整电阻值和切换引脚进入低电流模式来实现,这样可以在保持性能的同时降低功耗。

    总结和推荐


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Dual Downconverting Mixer F1162NBGI 是一款专为通信基站设计的高性能混频器。它的高线性度、低功耗和灵活性使其成为4G LTE和5G NR基站的理想选择。无论是标准模式还是低电流模式,F1162NBGI 都能表现出卓越的性能。鉴于其优秀的特性和广泛的适用性,强烈推荐在类似项目中使用这款混频器。

F1162NBGI8参数

参数
最大转换损耗 -
最小工作频率 2.3GHz,2.7GHz
典型功率增益 8.9dB
混频器数量 2
射频类型 通用
最大工作频率 2.7GHz
典型供电电流 330mA
最大工作供电电压 5.25V
典型的本振/射频隔离 -
典型噪声指数 9.9dB
典型三阶段输入截止点 -
辅助属性 降频变频器
最小工作供电电压 4.75V
长*宽*高 6mm(长度)*6mm(宽度)
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

F1162NBGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

F1162NBGI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS RF混频器 RENESAS ELECTRONICS F1162NBGI8 F1162NBGI8数据手册

F1162NBGI8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 29.76
5000+ ¥ 29.264
7500+ ¥ 28.52
库存: 15000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
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