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71V65703S80PFGI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (256K x 36) 256 k x 36 3.135V 250mA 3.465V Parallel TQFP-100 贴片安装,黏合安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: Q-71V65703S80PFGI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65703S80PFGI8

71V65703S80PFGI8概述

    IDT71V65703/5903 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 技术手册

    产品简介


    IDT71V65703/5903 是Integrated Device Technology(IDT)公司推出的两款高性能3.3V同步零总线转换静态随机存取存储器(ZBT™ SRAM)。这些SRAM采用先进的高效率CMOS工艺制造,具有高速读写能力和零死循环特性。它们广泛应用于各种高性能系统,如通信设备、工业自动化、医疗设备和高性能计算等领域。

    技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 存储容量 | 256K x 36 或 512K x 18 |
    | 工作频率 | 高达100MHz |
    | 时钟至数据访问时间 | 7.5ns |
    | 输入电压 | 3.3V ±5% |
    | 输出使能 | 异步输入,可关闭输出 |
    | 单一读写控制信号 | R/W控制信号 |
    | 突发模式能力 | 4字突发读写 |
    | 支持字节写入 | BW1-BW4 控制独立字节写入 |
    | 芯片选择 | 三个同步芯片选择信号CE1, CE2, CE2 |
    | 睡眠模式 | 通过ZZ输入控制低功耗模式 |
    | 封装类型 | 100引脚塑料薄型四方扁平封装(TQFP),119球栅阵列(BGA),165精细间距球栅阵列(fBGA) |

    产品特点和优势


    - 零总线转换(ZBT): 无需等待周期即可进行读写操作,提高数据传输效率。
    - 4字突发模式: 支持连续的读写操作,提升系统性能。
    - 高集成度: 内置地址、数据输入和控制信号寄存器,简化系统设计。
    - 低功耗: 提供睡眠模式,降低功耗以延长电池寿命。
    - 高可靠性: 适用于商业和工业温度范围,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:这些SRAM适用于需要高性能、低延迟数据存储的系统,如网络交换机、路由器、工业控制器和高性能服务器。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,确保所有同步输入信号的建立时间和保持时间满足规范要求。
    2. 利用突发模式可以有效提高系统的整体吞吐量,但需确保在突发模式下正确设置和管理LBO输入。
    3. 使用Sleep模式可以显著降低功耗,但在需要快速响应的情况下应注意及时唤醒。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些SRAM支持多种封装类型,便于不同尺寸和成本需求的设计选择。
    - 支持和维护: IDT提供全面的技术文档和应用指南,包括详细的安装和调试说明。此外,厂商还提供技术支持热线,以解决用户在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法启动读写操作 | 检查CE1, CE2, CE2是否正确激活,且CLK使能 |
    | 输出状态异常 | 检查OE信号是否正确,同时确认是否有适当的电源支持 |
    | 数据传输速率不匹配 | 确保系统时钟频率不超过最大额定值(100MHz) |

    总结和推荐


    综上所述,IDT71V65703/5903 提供了卓越的性能、高可靠性以及广泛的适用性。特别是其零总线转换技术和4字突发模式,使其在高负载和高频率应用中表现出色。对于寻求高性能存储解决方案的应用,强烈推荐使用这款产品。无论是网络基础设施、工业自动化还是高性能计算,这些SRAM都是理想的选择。

71V65703S80PFGI8参数

参数
最大供电电流 250mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (256K x 36)
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

71V65703S80PFGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65703S80PFGI8数据手册

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71V65703S80PFGI8封装设计

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