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UPD48288236AF1-E24-DW1-A

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述: 1.7V 1.9V 400MHz HSTL 贴片安装
供应商型号: CY-UPD48288236AF1-E24-DW1-A
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 动态随机存储器(DRAM) UPD48288236AF1-E24-DW1-A

UPD48288236AF1-E24-DW1-A概述


    产品简介


    产品名称:µPD48288209AF1、µPD48288218AF1、µPD48288236AF1
    产品类型:低延迟同步双数据率DRAM
    主要功能:高性能内存芯片,适用于高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。
    应用领域:这些产品广泛应用于计算机、服务器、网络设备、嵌入式系统以及其他需要高性能内存的应用领域。

    技术参数


    - 容量:288M bit
    - 组织结构:
    - 共用I/O:4M words × 9 bits × 8 banks
    - 2M words × 18 bits × 8 banks
    - 1M words × 36 bits × 8 banks
    - 操作频率:533 MHz / 400 MHz / 300 MHz
    - 接口:HSTL I/O
    - 封装:144-pin FBGA,尺寸为18.5 mm × 11 mm
    - 电源供应:
    - VEXT:2.5 V
    - VDD:1.8 V
    - VDDQ:1.5 V 或 1.8 V
    - 刷新命令:
    - 自动刷新:8192 周期 / 32 ms 每个银行
    - 总体刷新:64K 周期 / 32 ms
    - 工作环境温度:0°C 到 95°C

    产品特点和优势


    - SRAM接口:提供了类似SRAM的接口,实现高速读写操作。
    - 双数据速率架构:能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据,有效提高了数据传输速率。
    - PLL电路:包含锁相环电路,确保时钟信号的稳定性。
    - 非乘法地址:无需额外地址译码器,简化了系统设计。
    - 数据掩码功能:可以对写入的数据进行掩码控制,增加了数据的安全性。
    - 可编程输出阻抗:输出阻抗可在25Ω到60Ω之间调整,增强了与系统的兼容性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和存储系统:由于其高速度和高密度特性,这些DRAM芯片被广泛应用于服务器和存储系统中。
    - 嵌入式系统:适用于需要高速处理和大容量存储的应用场景,如物联网(IoT)设备。
    使用建议:
    - 在应用过程中,应注意遵循制造商推荐的供电条件和工作环境温度,以保证最佳性能和可靠性。
    - 使用时建议优先选择自动刷新模式,以确保内存数据的有效性。
    - 根据具体需求选择合适的配置,如位宽度、频率等,以达到最优性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些产品采用标准的144-pin FBGA封装,易于与多种主板和系统兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术手册和参考资料,支持IEEE 1149.1 JTAG边界扫描测试标准,方便调试和故障排查。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常工作。
    - 解决办法:检查供电条件是否符合制造商推荐值,确认时钟信号的稳定性和信号完整性。
    - 问题2:读写速度慢。
    - 解决办法:确保正确的配置参数设置,检查系统中其他可能的瓶颈因素。
    - 问题3:数据丢失或错误。
    - 解决办法:检查数据掩码设置是否正确,以及刷新周期是否按要求执行。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:这些产品具备高速度、低功耗、高密度和宽位配置等显著优势,特别适合高性能计算和存储应用。
    - 可靠性:通过严格的生产和测试流程,确保了产品的长期可靠性和稳定性。
    - 适用范围广:其灵活的配置选项使其能适应多种应用场景。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高性能存储解决方案的项目中使用这些DRAM芯片。

UPD48288236AF1-E24-DW1-A参数

参数
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 HSTL
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

UPD48288236AF1-E24-DW1-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPD48288236AF1-E24-DW1-A数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 动态随机存储器(DRAM) RENESAS ELECTRONICS UPD48288236AF1-E24-DW1-A UPD48288236AF1-E24-DW1-A数据手册

UPD48288236AF1-E24-DW1-A封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 42.2727 ¥ 342.444
25+ $ 40.5259 ¥ 336.5398
50+ $ 38.7791 ¥ 330.6356
100+ $ 38.0804 ¥ 327.6835
300+ $ 37.731 ¥ 324.7314
500+ $ 37.3817 ¥ 321.7793
1000+ $ 36.3336 ¥ 307.0188
5000+ $ 36.3336 ¥ 307.0188
库存: 1471
起订量: 3 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 342.44
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AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
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