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71V65603S100BQGI

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (256K x 36) 256 k x 36 3.135V 270mA 3.465V 100MHz Parallel CABGA-165 贴片安装 15mm*13mm*1.2mm
供应商型号: Q-71V65603S100BQGI
供应商: 期货订购
标准整包数: 272
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65603S100BQGI

71V65603S100BQGI概述


    产品简介


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 是由 Integrated Device Technology, Inc.(简称IDT)生产的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),具有零总线转换时间(Zero Bus Turnaround, ZBT)技术。这两种芯片提供两种不同的存储容量配置:256K x 36 和 512K x 18,分别适用于需要高速数据访问的应用场景。IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 支持高达150MHz的工作速度,能够在多种工业和商业环境中提供卓越的性能。

    技术参数


    | 参数名称 | 规格 |

    | 存储容量 | 256K x 36, 512K x 18 |
    | 工作频率 | 150MHz (3.8ns时钟到数据访问) |
    | 输入电压范围 | VDD: 3.135V - 3.465V |
    | 输出电压范围 | VDDQ: 3.135V - 3.465V |
    | 芯片使能信号 | CE1, CE2, CE2 |
    | 读写控制信号 | R/W |
    | 地址输入 | A0-A18 |
    | 数据输入/输出 | I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4 |
    | 时钟信号 | CLK |
    | 功耗 | 2.0W |
    | 工作温度范围 | 商业级: 0°C 至 +70°C |
    工业级: -40°C 至 +85°C |

    产品特点和优势


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 的主要特点是 ZBT 技术,可以在读写操作之间省去死循环,从而提高系统的整体性能。此外,该芯片支持单周期内完成地址、数据和控制信号的寄存,进一步提高了处理速度。内部同步输出缓冲启用使得OE信号不再需要手动控制。4字节突发模式(可以是交错或线性)增加了数据吞吐量。这些特点使其在诸如通信、计算机网络和工业自动化等领域中非常受欢迎。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 广泛应用于高速数据处理系统中,例如服务器、路由器和工业控制器。在一台数据中心服务器中,它们可以作为高速缓存来提高整体数据访问速度。在通信网络设备中,它们可以用于数据包缓冲和交换,以确保数据的高效传输。
    使用建议
    为了最大化IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 的性能,需要确保所有同步输入信号满足时序要求。特别需要注意的是,CE1、CE2 和 CE2 的使能信号必须被正确控制,以避免误操作。在进行数据写入操作时,BW1-BW4 字节写选择信号必须正确配置。此外,可以通过设置OE信号来实现数据输出的控制,以防止在不必要的情况下发生不必要的数据泄漏。

    兼容性和支持


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 可与标准的JEDEC封装兼容,包括100针塑料薄型四边扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165细间距球栅阵列(fBGA)。IDT提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用这些芯片。用户还可以通过技术支持渠道获取帮助,解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:芯片使能信号未正确配置导致设备无法正常工作
    解决方案:确保CE1、CE2 和 CE2 信号在所需的时间点正确地被置低或置高。如果CE信号未正确配置,可以检查相关的逻辑电路,并确保其符合预期的功能。
    问题2:读写操作中数据输出异常
    解决方案:确认OE信号是否正确控制。在读取数据之前,确保OE信号处于低电平状态,否则I/O引脚将进入高阻态。如果OE信号配置正确但仍存在问题,则可能需要检查数据路径是否存在其他错误。

    总结和推荐


    综上所述,IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 是非常优秀的同步SRAM芯片,具有出色的性能和丰富的功能。对于需要高数据处理能力和可靠性的应用,IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 是理想的选择。特别是其ZBT技术和多字节突发模式,使得其在高速数据处理系统中表现尤为出色。因此,强烈推荐这些芯片用于各种高性能计算和通信系统中。

71V65603S100BQGI参数

参数
最大时钟频率 100MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (256K x 36)
最大供电电流 270mA
长*宽*高 15mm*13mm*1.2mm
通用封装 CABGA-165
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

71V65603S100BQGI厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65603S100BQGI数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65603S100BQGI 71V65603S100BQGI数据手册

71V65603S100BQGI封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
272+ $ 24.53 ¥ 204.8255
544+ $ 24.53 ¥ 204.8255
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