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71V3558S133PFG

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (256K x 18) 256 k x 18 3.135V 300mA 3.465V 133MHz Parallel TQFP-100 贴片安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: CY-71V3558S133PFG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3558S133PFG

71V3558S133PFG概述


    产品简介


    IDT71V3556/58 是一款高性能的同步SRAM(静态随机存取存储器),专为高带宽应用设计。该系列SRAM提供两种配置:128K x 36 和 256K x 18。其主要特点包括零总线翻转(ZBTTM)技术,以消除读写之间的死周期,从而提高系统速度。该产品广泛应用于需要高性能存储解决方案的数据处理系统、通信设备和工业控制系统等领域。

    技术参数


    - 存储容量:128K x 36 或 256K x 18
    - 系统速度:
    - x18: 高达200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access)
    - x36: 高达166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access)
    - 接口:同步输入输出,支持单读写控制信号(R/W)
    - 电源电压:3.3V (±5%)
    - 时钟信号:上升沿触发地址、数据和控制信号寄存器
    - 操作温度范围:
    - 商业级:0°C 至 +70°C
    - 工业级:-40°C 至 +85°C
    - 封装形式:100引脚塑料薄型四方扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165细间距球栅阵列(fBGA)

    产品特点和优势


    IDT71V3556/58 的显著特点是采用了零总线翻转技术(ZBTTM),通过减少读写转换时的死周期来提升系统性能。此外,该SRAM支持高频率操作,并具有内部同步输出缓冲使能,简化了对输出使能(OE)信号的控制。独特的单读写控制(R/W)和可编程字节写使能(BW1-BW4)也为其带来了更高的灵活性和效率。采用业界领先的CMOS工艺制造,确保了稳定可靠的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT71V3556/58 在高速数据传输系统中表现出色。例如,在通信设备如路由器和交换机中,需要处理大量数据流并保持高速度操作,这种SRAM可以显著提升系统的整体性能。在工业控制系统中,由于对稳定性的要求较高,IDT71V3556/58 也能确保在恶劣环境下长期可靠运行。
    使用建议
    在使用过程中,注意时钟信号(CLK)和控制信号(R/W, CE1/2, OE等)的同步性至关重要。如果系统中存在多块SRAM芯片,则可以通过独立控制各个芯片的使能(CE1/2)信号来实现深度扩展。对于测试操作,可以启用边界扫描JTAG接口进行诊断和调试。为了优化系统性能,建议合理利用4字节突发模式(burst)以减少访问延迟。

    兼容性和支持


    IDT71V3556/58 支持多种标准封装,方便与其他电子元器件进行物理连接。该产品还支持可选的边界扫描JTAG接口,用于生产和测试阶段的故障检测和诊断。IDT公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行集成和优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确配置时钟使能(CEN)?
    - 解决方案:CEN低电平时使能器件,高电平时忽略所有其他同步输入,确保CEN在时钟信号的上升沿被正确采样。
    2. 问题:如何确保数据完整性?
    - 解决方案:在进行写操作前,需确保控制信号(R/W)和加载信号(ADV/LD)正确设置,同时根据需要验证各个字节的写使能信号(BW1-BW4)。

    总结和推荐


    IDT71V3556/58 是一款专为高带宽应用设计的高性能同步SRAM,具备出色的性能和可靠性。无论是商业还是工业应用,其优秀的特性使其成为理想的存储解决方案。对于需要高速读写能力、灵活配置和强大兼容性的系统,强烈推荐使用此款SRAM。

71V3558S133PFG参数

参数
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (256K x 18)
最大供电电流 300mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.465V
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

71V3558S133PFG厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3558S133PFG数据手册

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71V3558S133PFG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.7797 ¥ 46.8202
25+ $ 5.5408 ¥ 46.0129
50+ $ 5.302 ¥ 45.2057
100+ $ 5.2065 ¥ 44.802
300+ $ 5.1587 ¥ 44.3984
500+ $ 5.111 ¥ 43.9948
1000+ $ 4.9677 ¥ 41.9767
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