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71V65903S85PFGI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125MB 512 k x 18 3.135V 245mA 3.465V Parallel TQFP-100 贴片安装,黏合安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: Q-71V65903S85PFGI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65903S85PFGI8

71V65903S85PFGI8概述

    # IDT71V65703/5903 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    IDT71V65703/5903 是高性能的 3.3V 同步零总线转弯(Zero Bus Turnaround,简称 ZBT™)SRAM 芯片,由 Integrated Device Technology, Inc. 推出。该系列芯片专为高速数据访问和存储设计,提供两种存储配置:256K x 36 和 512K x 18。它适用于需要低延迟和高带宽的工业及商业应用。
    主要功能
    1. 零总线转弯(ZBT™)技术,支持快速读写操作,无死周期。
    2. 高达 100 MHz 的系统速度,7.5 ns 的时钟到数据访问时间。
    3. 支持单次写入/读取控制信号(R/W)。
    4. 可编程的线性或交错突发模式(Linear/Interleaved Burst Order)。
    5. 内部同步输出缓冲器使 OE 控制变得无需手动干预。
    6. 三路芯片使能(Chip Enable)支持深度扩展。
    7. 3.3V 核心电源(VDD)和 I/O 电源(VDDQ)供电。
    应用领域
    - 数据存储系统
    - 工业控制和自动化
    - 网络通信设备
    - 医疗成像设备
    - 军事和航空航天系统

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 存储容量 | 256K x 36 或 512K x 18 |
    | 系统速度 | 100 MHz |
    | 时钟到数据访问时间 | 7.5 ns |
    | 电源电压 | 3.3V ±5% |
    | 输入高电平电压(VIH) | ≥2.0 V |
    | 输入低电平电压(VIL) | ≤0.8 V |
    | 功耗 | 2.0 W |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 零总线转弯技术(ZBT™):显著缩短了读写操作之间的延迟时间,提升了整体性能。
    2. 内部同步输出缓冲器:自动管理输出使能信号,减少外部电路复杂度。
    3. 多字节写入支持:每个字节可单独控制写入,适用于不同数据宽度的应用。
    4. 低功耗设计:支持睡眠模式(Sleep Mode),降低待机功耗。
    市场竞争力
    IDT71V65703/5903 在竞争激烈的存储器市场中脱颖而出,凭借其低延迟、高可靠性和低功耗等特点,在高要求的应用中占据重要地位。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 数据缓冲器:作为高速缓存使用,加速数据处理速度。
    - 视频图像存储:支持高分辨率视频数据的快速存储与读取。
    - 网络路由器:用于缓存网络流量数据。
    使用建议
    1. 合理设置 burst 模式:根据具体需求选择线性或交错 burst 模式以优化数据传输效率。
    2. 确保电源稳定:保持 VDD 和 VDDQ 的稳定性,避免电压波动导致芯片异常。
    3. 优化电路布局:通过合理的 PCB 设计,减少信号干扰,提升信号完整性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品支持 JEDEC 标准封装,包括 100 引脚塑料薄型四边扁平封装(TQFP)、119 球栅阵列封装(BGA)和 165 细间距球栅阵列封装(fBGA)。
    - 兼容多种处理器和接口标准,便于集成到现有系统中。
    厂商支持
    Integrated Device Technology 提供详尽的技术文档和客户支持,包括技术咨询、样品供应和生产指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据丢失 | 检查电源电压是否符合规范 |
    | 读写速度慢 | 检查时序参数是否正确设置 |
    | 芯片过热 | 确保良好的散热措施并优化布局 |

    总结和推荐


    产品评估
    IDT71V65703/5903 是一款高性能、高可靠性、低功耗的同步 SRAM 芯片,非常适合需要快速数据访问和存储的场景。其独特的零总线转弯技术和内部同步输出缓冲器使其在市场上具有强大的竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐该产品用于需要高速存储解决方案的工业和商业应用中。对于希望降低延迟、提高系统性能的用户来说,这款芯片是理想的选择。同时,厂商提供的技术支持和完善的文档也为开发和部署提供了便利条件。

    通过上述全面的技术解读,相信您已经对该产品的功能、优势及其适用场景有了清晰的认识。如果还有进一步的需求或疑问,欢迎随时联系技术团队获取更多帮助!

71V65903S85PFGI8参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 512 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1.125MB
最大供电电流 245mA
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

71V65903S85PFGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65903S85PFGI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65903S85PFGI8 71V65903S85PFGI8数据手册

71V65903S85PFGI8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2000+ $ 23.177 ¥ 193.528
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