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70V7339S133BFI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (512K x 18) 512 k x 18 3.15V 675mA 3.45V 133MHz Parallel CABGA-208 贴片安装,黏合安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V7339S133BFI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V7339S133BFI8

70V7339S133BFI8概述

    高速同步可切换双端口静态RAM IDT70V7339 技术手册

    产品简介


    IDT70V7339 是一款高速同步可切换双端口静态随机存取存储器(SRAM),提供512K x 18的内存容量,相当于9兆位(megabits)。这款SRAM分为64个独立的8K x 18内存块。该设备具有两个独立的端口,每个端口都有独立的控制、地址和输入/输出引脚。每个端口可以访问任何未被另一端口占用的8K x 18内存块。IDT70V7339 主要应用于需要高速读写操作的应用场景,如高性能计算、通信设备和工业自动化系统。

    技术参数


    - 内存架构:512K x 18 同步可切换双端口 SRAM
    - 内存容量:9兆位(megabits)
    - 工作频率:商业级最高可达3.4ns (200MHz),工业级最高可达3.6ns (166MHz)
    - 数据传输速率:14Gbps
    - 电气特性:
    - 输入高电压:VDDQ + 100mV
    - 输入低电压:0.7V (最大0.8V)
    - 输出高电压:2.4V (最小)
    - 输出低电压:0.4V (最大)
    - 输入泄漏电流:≤10μA
    - 输出泄漏电流:≤10μA
    - 工作温度范围:商业级0°C到+70°C,工业级-40°C到+85°C
    - 封装形式:208针细间距球栅阵列(fpBGA)和256针球栅阵列(BGA)

    产品特点和优势


    - 独特的SRAM核心:不同于传统的双端口SRAM核心,该设备采用真正的SRAM核心,具备独特的操作特性。
    - 双端口设计:两个独立端口允许同时进行读写操作,且每个端口可以独立控制内存访问。
    - 高速数据访问:支持3.4ns的最大时钟周期,实现高达200MHz的操作频率。
    - 多样的配置选项:通过控制引脚可以选择不同的工作模式和电压,提供灵活性。
    - 兼容性与支持:支持JTAG特性,满足IEEE 1149.1标准,便于测试和调试。

    应用案例和使用建议


    - 高性能计算:适用于需要高速读写的计算密集型应用,例如服务器和高性能工作站。
    - 通信设备:适合于交换机、路由器等网络设备,需要快速的数据传输和处理能力。
    - 工业自动化:可用于工厂自动化系统,实现快速响应和数据记录。
    使用建议:
    - 在实际使用中,要注意确保电源电压正确设置,以避免损坏设备。
    - 在设计系统时,应考虑散热措施,特别是在高温环境下运行。
    - 使用双向数据流时,应注意避免两个端口同时访问同一内存块,以免导致数据冲突。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IDT70V7339 支持多种封装形式,包括208针和256针两种封装,方便集成到不同类型的系统中。
    - 支持:设备提供JTAG接口,支持IEEE 1149.1标准,便于测试和维护。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:两个端口同时访问同一个内存块会导致数据冲突。
    解决方案:设计系统时确保两个端口访问的内存块不重叠,或者在软件层面上避免同时访问相同的内存地址。

    2. 问题:设备启动后无法正常工作。
    解决方案:检查供电电压是否正确设置,特别是OPT引脚的选择和VDDQX的配置。

    总结和推荐


    IDT70V7339 是一款高性能、高可靠性的高速同步可切换双端口SRAM,特别适合对速度和数据访问效率要求较高的应用场合。其独特的双端口设计和灵活的配置选项使其在市场上具有较强的竞争力。总体来说,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高性能、低延迟和高数据吞吐量的系统中。

70V7339S133BFI8参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (512K x 18)
最大供电电流 675mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.45V
最小工作供电电压 3.15V
组织 512 k x 18
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

70V7339S133BFI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V7339S133BFI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V7339S133BFI8 70V7339S133BFI8数据手册

70V7339S133BFI8封装设计

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