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71V3558SA166BQGI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (256K x 18) 256 k x 18 3.135V 360mA 3.465V 166MHz Parallel CABGA-165 贴片安装 15mm*13mm*1.2mm
供应商型号: Q-71V3558SA166BQGI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 2000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3558SA166BQGI8

71V3558SA166BQGI8概述

    IDT71V3556/58 3.3V 同步SRAM技术手册

    产品简介


    IDT71V3556/58 是由Integrated Device Technology, Inc.推出的高性能同步静态随机存取存储器(SRAM),具有零总线转换时间(ZBTTM)功能。它们采用14mm x 20mm的100引脚塑料薄型四边扁平封装(TQFP),也可选择119球栅阵列(BGA)或165精细间距球栅阵列(fBGA)。这些SRAM提供了多种配置,如128K x 36或256K x 18,支持高系统性能速度,最高可达200 MHz (3.2 ns 时钟到数据访问) 或166 MHz (3.5 ns 时钟到数据访问),适用于各种高速数据处理和传输需求。

    技术参数


    - 存储容量:128K x 36或256K x 18
    - 工作电压:3.3V核心电源电压 (3.135V至3.465V)
    - 输入/输出电压:3.3V I/O电源电压 (3.135V至3.465V)
    - 时钟频率:高达200 MHz (x18) 或166 MHz (x36)
    - 时钟周期:3.2 ns (200 MHz) 或3.5 ns (166 MHz)
    - 输入电容:最大5 pF (输入) 和7 pF (I/O)
    - 绝对最大额定值:终端电压相对于接地 -0.5V至+4.6V
    - 工作温度范围:商业级(0°C至+70°C)和工业级(-40°C至+85°C)

    产品特点和优势


    IDT71V3556/58 SRAM 的主要特点是ZBTTM功能,这消除了读写操作之间的死周期。此外,它还具备以下特点:
    - 单一读写控制信号
    - 正边触发的地址、数据和控制信号寄存器
    - 四字突发能力
    - 支持独立字节写入
    - 内部同步化输出缓冲使能,无需主动控制输出使能 (OE)

    应用案例和使用建议


    这些SRAM非常适合用于需要高速数据处理的应用场景,如网络交换机、路由器、无线通信设备和高速数据采集系统。例如,在一个高速数据采集系统中,可以利用IDT71V3556/58的快速读写能力和ZBTTM功能来提高整体系统性能。
    使用建议:
    - 确保所有同步输入信号满足规定的设置和保持时间。
    - 在正常使用时,OE信号可以被拉低以减少功耗。
    - 考虑将所有未使用的引脚接地或浮空,以避免潜在的干扰。

    兼容性和支持


    IDT71V3556/58与大多数标准逻辑电平兼容,可与多种控制器和微处理器配合使用。制造商提供了详细的文档和支持资源,包括测试模式选择 (TMS)、测试数据输入 (TDI) 和测试时钟 (TCK) 接口,便于开发和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定芯片是否已成功启用?
    解决办法:检查芯片使能信号(CE1、CE2、CE2)是否为低电平。
    - 问题:在系统启动时,为什么数据传输不完整?
    解决办法:确保所有引脚正确连接,并检查时钟使能信号(CEN)在上升沿采样时是否为低电平。

    总结和推荐


    总体而言,IDT71V3556/58 是一款高性能的同步SRAM,特别适合需要高数据传输速率和低延迟的应用。其独特的ZBTTM功能和广泛的兼容性使其在市场上具有很强的竞争优势。如果您需要一个能够在高速数据处理环境中稳定工作的存储器解决方案,这款产品将是理想的选择。

71V3558SA166BQGI8参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (256K x 18)
最大供电电流 360mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 18
数据总线宽度 -
长*宽*高 15mm*13mm*1.2mm
通用封装 CABGA-165
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

71V3558SA166BQGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3558SA166BQGI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V3558SA166BQGI8 71V3558SA166BQGI8数据手册

71V3558SA166BQGI8封装设计

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