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71V67603S150BG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (256K x 36) 256 k x 36 3.135V 305mA 3.465V 150MHz Parallel PBGA-119 贴片安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V67603S150BG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V67603S150BG8

71V67603S150BG8概述


    产品简介


    IDT71V67603/7803是高密度高速SRAM(静态随机存取存储器)器件,支持3.3V供电。这款产品提供两种内存配置:256K x 36和512K x 18位。它具备高性能、低功耗的特点,并且可以广泛应用于高性能计算系统、通信设备以及嵌入式系统等领域。SRAM内部集成了写入、数据、地址和控制寄存器,能够通过内置逻辑生成自定时写操作,从而为系统设计者提供最高的性能。

    技术参数


    - 内存配置:256K x 36, 512K x 18
    - 时钟访问时间:166MHz (3.5ns),150MHz (3.8ns),133MHz (4.2ns)
    - 电源电压:核心电压VDD 3.3V±5%,I/O电压VDDQ 3.3V±5%
    - 工作温度范围:商业级:0°C到+70°C,工业级:-40°C到+85°C
    - 封装形式:100-pin TQFP,119-ball BGA,165-fine pitch BGA
    - 兼容性:适用于高性能计算系统、通信设备、嵌入式系统等
    - 输入/输出信号:支持Synchronous模式下的多种输入输出信号
    - 功耗:典型运行电流IDD 325mA(商业工业),静态功耗ISB1 70mA(商业工业)

    产品特点和优势


    1. 高速访问:支持最高166MHz的时钟频率,具有3.5ns的快速访问时间,确保了高效的数据传输速率。
    2. 高性能SRAM:内部集成写入、数据、地址和控制寄存器,提供自定时写入能力,极大提升了系统的灵活性和效率。
    3. 低功耗:在多种工作状态下提供了非常低的功耗,特别适合于需要长时间运行的应用场景。
    4. 广泛的温度适应性:商用和工业级别的工作温度范围保证了其在不同环境条件下的可靠性。
    5. 封装多样性:提供多种封装形式,满足不同应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    IDT71V67603/7803非常适合用于需要高速数据处理的场景,如高性能计算、通信设备、网络交换机、路由器等。例如,在一个网络交换机的设计中,这种SRAM可用于缓存快速处理的大量数据包。使用建议包括:
    - 选择适当的时钟频率:根据实际需求选择合适的时钟频率,以获得最佳性能和功耗平衡。
    - 合理利用睡眠模式:利用ZZ输入来降低功耗,确保数据在低功耗模式下保持。
    - 注意引脚配置:正确配置各引脚,特别是CE、CS0和CS1等选择引脚,以确保正确的芯片选通。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IDT71V67603/7803与多种系统平台兼容,可应用于不同的硬件架构中。
    - 厂商支持:IDT公司提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作时钟频率?
    - 解决方案:参考产品手册中的“AC Test Load”部分,选择符合系统需求的最佳时钟频率。
    2. 问题:在什么情况下应启用Sleep模式?
    - 解决方案:当系统处于低功耗需求状态时,可以通过设置ZZ输入来进入Sleep模式,降低功耗。
    3. 问题:如何避免数据损坏?
    - 解决方案:确保正确配置BWE、GW和各个BWx信号线,避免误写操作。同时,在使用过程中关注时序关系,防止数据错乱。

    总结和推荐


    IDT71V67603/7803是一款高性价比的高性能SRAM,适用于需要高速数据处理的应用场景。其出色的性能、低功耗以及广泛的工作温度范围使其成为众多应用的理想选择。无论是用于高性能计算还是通信系统,该产品都能表现出色,因此强烈推荐使用。

71V67603S150BG8参数

参数
最大时钟频率 150MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (256K x 36)
最大供电电流 305mA
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

71V67603S150BG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V67603S150BG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V67603S150BG8 71V67603S150BG8数据手册

71V67603S150BG8封装设计

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