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70V657S10BFG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125Mb (32K x 36) 3.15V 3.45V Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V657S10BFG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V657S10BFG8

70V657S10BFG8概述


    产品简介


    产品概述
    IDT70V659/58/57S 是一款高性能的3.3V同步双端口静态随机存取存储器(SRAM),容量分别为128K x 36位、64K x 36位和32K x 36位。这款SRAM旨在满足商业和工业温度范围的需求,适用于高可靠性、高速数据处理的应用场合。
    主要功能
    - 双端口设计:允许两个独立端口同时访问同一个内存地址,从而提高数据处理效率。
    - 异步操作:允许从任意端口进行完全异步的操作,无需等待同步信号。
    - 多字节控制:支持单独控制多个9位字节,提供灵活的数据处理能力。
    - JTAG支持:符合IEEE 1149.1标准,方便进行芯片测试和调试。
    - 电源管理:支持单3.3V或2.5V电源供电,具备自动待机模式,降低功耗。
    应用领域
    IDT70V659/58/57S 广泛应用于各类高性能计算系统、嵌入式系统、通信设备等领域,特别是在需要高数据传输速率和可靠性的场景中表现出色。

    技术参数


    主要规格
    - 容量:128K x 36位、64K x 36位和32K x 36位
    - 电源电压:核心电压为3.3V,I/O端口电压可选3.3V或2.5V
    - 工作温度范围:商业级(0°C至+70°C)、工业级(-40°C至+85°C)
    - 封装形式:208-Pin PQFP、208-Ball BGA 和 256-Ball BGA
    绝对最大额定值
    - VDD终端电压:-0.5V 至 +4.6V
    - TBIAS(带偏置温度):-55°C 至 +125°C
    - TSTG(存储温度):-65°C 至 +150°C
    - TJN(结温):+150°C
    - IOUT(直流输出电流):对于VDDQ=3.3V时为50mA,对于VDDQ=2.5V时为40mA

    产品特点和优势


    - 高性能:最高可达10/12/15ns的访问速度,提供商业和工业级的产品版本。
    - 高可靠性:具备内部故障保护机制,如忙标志和中断标志,确保数据传输的可靠性。
    - 易用性:提供全面的硬件支持,包括信号量机制和仲裁逻辑,简化系统集成。
    - 兼容性:支持JTAG调试,方便开发和调试。
    - 灵活性:通过选择不同的电源配置,可以适应多种应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT70V659/58/57S 在高性能计算系统中的应用尤其广泛。例如,在服务器和数据中心中,这种SRAM可以用于快速缓存管理,加速数据处理过程。
    使用建议
    - 在系统设计中,合理安排两个端口的读写操作,避免冲突,充分利用双端口的优势。
    - 适当设置电源配置(OPT引脚),以达到最佳性能和功耗平衡。
    - 利用JTAG接口进行系统调试和故障诊断,提高开发效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有系统无缝集成,支持多种总线匹配和适配需求。
    - 支持:IDT公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括用户手册、技术文档和在线支持平台,确保用户能够顺利部署和使用产品。

    常见问题与解决方案


    问题一:电源配置不当导致性能不稳定
    解决方案:确保所有VDD和VDDQ引脚正确连接到指定的电源电压,检查OPT引脚的配置是否符合需求。
    问题二:读写操作错误
    解决方案:检查地址和控制信号是否正确输入,确认BYTE ENABLE引脚配置正确。
    问题三:忙标志和中断标志失效
    解决方案:检查硬件连接,确保这些信号通过正确的路径传播,必要时更新固件或软件驱动程序。

    总结和推荐


    IDT70V659/58/57S 凭借其高性能、高可靠性以及灵活性,非常适合应用于需要高速数据处理和可靠性的各种系统中。建议在关键任务应用中采用此款SRAM,可以显著提升系统的整体性能。对于追求稳定性和高效性的开发者而言,IDT70V659/58/57S是一个值得推荐的选择。

70V657S10BFG8参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1.125Mb (32K x 36)
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.45V
最小工作供电电压 3.15V
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

70V657S10BFG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V657S10BFG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V657S10BFG8 70V657S10BFG8数据手册

70V657S10BFG8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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