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70T659S10BC8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 2.4V 2.6V Parallel CABGA-256 贴片安装,黏合安装 17mm*17mm*1.4mm
供应商型号: Q-70T659S10BC8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70T659S10BC8

70T659S10BC8概述

    高速2.5V 256/128K x 36 异步双端口静态RAM 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    IDT70T651/9 是一种高速的 256/128K x 36 位异步双端口静态随机存取存储器(SRAM)。
    主要功能:
    - 支持两个独立的端口进行读写操作,每个端口有各自的控制、地址和I/O引脚。
    - 具备自动下电功能,通过芯片使能信号(CE0或CE1)来降低功耗。
    - 支持高速连续写入模式(RapidWrite Mode),允许在不重新触发写周期的情况下执行多个写操作。
    应用领域:
    适用于各种高要求的系统应用,包括高性能计算、网络通信设备、工业自动化系统等。

    2. 技术参数


    性能参数:
    - 存储容量:256/128K x 36
    - 最大时钟频率:10/12/15 ns(商业级),10/12 ns(工业级)
    - 操作电压:核心电源电压 2.4V 至 2.6V,I/O 电源电压 2.4V 至 2.6V
    - 工作温度范围:商业级 0°C 至 +70°C,工业级 -40°C 至 +85°C
    电气特性:
    - 输入高电平(VIH):2.4V 至 2.6V
    - 输入低电平(VIL):0V 至 0.7V
    - 输出电容(COUT):最大 10.5 pF
    支持的电气特性:
    - 支持JTAG测试接口,符合IEEE 1149.1标准
    - 独立的字节控制以实现总线匹配兼容性
    - 可选择的3.3V/2.5V I/O和控制信号电源
    - 内置仲裁逻辑支持多端口同步操作

    3. 产品特点和优势


    - 真双端口存储单元:允许同时访问同一内存位置。
    - 高速访问:具有高达10ns的访问速度。
    - 快速写入模式:简化高频率连续写操作。
    - 双芯片使能:支持深度扩展而无需外部逻辑。
    - 主从选择:通过VIH和VIL选择主从模式。
    - 兼容多种温度范围:可在工业和商业级环境下运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    IDT70T651/9 广泛应用于高性能计算和工业控制系统中。例如,在数据中心服务器中作为高性能缓存存储器,确保数据快速存取;在工业自动化系统中用于实时数据处理和存储。
    使用建议:
    - 确保电源电压和接地连接正确,特别是在工业级应用中,建议使用扩展的工作温度范围。
    - 使用RapidWrite模式可以提高连续写入效率,特别是在需要高写入速度的应用中。
    - 注意芯片使能信号的使用,合理配置才能达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IDT70T651/9 具有良好的I/O兼容性,支持多种电源电压配置,适合与多种设备配合使用。
    - 支持服务:制造商提供全面的技术支持,包括文档、软件工具、设计咨询服务和产品定制服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1:如何正确设置电源电压?
    - 解答:通过OPTx引脚配置,如果选择3.3V电源,则相应VDDQX需设置为3.3V;若选择2.5V电源,则VDDQX需设置为2.5V。

    - 问题2:如何进入睡眠模式?
    - 解答:通过拉高ZZx引脚进入睡眠模式。需要注意的是,在睡眠模式期间,只有JTAG输入仍然有效。
    - 问题3:如何配置端口为Master或Slave?
    - 解答:通过M/S引脚进行配置,VIH表示Master,VIL表示Slave。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IDT70T651/9 作为一种高性能的异步双端口静态RAM,具备优秀的存储容量和高速存取能力,适用于多种高性能系统。其独特的真双端口设计和RapidWrite模式使得它成为高可靠性需求场合的理想选择。
    推荐使用:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在需要高性能存储和数据处理的系统中使用IDT70T651/9。尤其是在对数据读写速度和存储容量要求较高的应用中,这款存储器将表现出色。

70T659S10BC8参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 2.6V
最小工作供电电压 2.4V
长*宽*高 17mm*17mm*1.4mm
通用封装 CABGA-256
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 商业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

70T659S10BC8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70T659S10BC8数据手册

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70T659S10BC8封装设计

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