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F1178NBGI8

产品描述: 3.4GHz,3.8GHz 3.8GHz QFN-36-EP 贴片安装
供应商型号: F1178NBGI8
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 其它RF IC和模块​​​​​​ F1178NBGI8

F1178NBGI8概述


    产品简介


    IDTF1178NBGI:RF to IF 双下变频混频器
    IDTF1178NBGI 是一款专为基站接收机设计的 RF 到 IF 双下变频混频器。其工作频率范围为 3400MHz 至 3800MHz,适用于低边本地振荡器(LO)注入。该混频器具有高线性度和低噪声的特点,可广泛应用于多模式多载波基站接收机和其他类似场景中。

    技术参数


    工作条件
    - 供电电压(VCC):4.75V 至 5.25V
    - 本振功率(PLO):-3dBm 至 +3dBm
    - 操作温度范围:-40°C 至 +105°C
    - RF 频率范围:3400MHz 至 3800MHz
    - LO 频率范围:2900MHz 至 3620MHz
    - IF 频率范围:30MHz 至 550MHz
    关键参数
    - 增益(G):9.0 dB
    - 输入三阶交调截点(IP3O):+37.5 dBm
    - 噪声系数(NF):8.5 dB
    - 输出阻抗(ZIF):200 Ω
    - 电源电流(I2CHAN):297mA(总通道)
    - 射频输入阻抗(ZRF):50 Ω
    - 射频输入驻波比(RLRF):18 dB
    绝对最大额定值
    - VCC 到 GND:-0.3V 至 +5.5V
    - LO 输入至射频输入功率:+20 dBm
    - 连续功率耗散:2.2W
    - 最大结温:150°C
    - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 双路径多样性系统:该混频器具备两个独立的通道,适用于需要多样性的系统。
    2. 超线性性能:IDTF1178NBGI 的 IP3O 达到 +37.5 dBm,远高于同类产品。
    3. 低功耗:在典型操作条件下,该混频器的功耗仅为 297mA,较同类型产品降低 23%。
    4. 高输出阻抗:200 Ω 的输出阻抗使得信号传输更加稳定。
    5. 快速响应时间:从上电到稳定只需 0.38 微秒,极大地提高了系统的实时响应能力。
    6. 低功耗及高性能:通过专利的 Zero-DistortionTM 技术实现高线性度和低噪声性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该混频器主要应用于多模式多载波基站接收机,如电信基础设施中的蜂窝基站。例如,在 3400MHz 至 3800MHz 频段内,它能够有效地将射频信号转换为中频信号,同时保持高线性度和低噪声水平。
    使用建议
    1. 最佳工作条件:确保混频器的工作温度在 -40°C 至 +105°C 范围内,以充分利用其高线性度和低噪声性能。
    2. 电源管理:选择合适的电源电压(4.75V 至 5.25V),并注意控制本振功率,以避免过高的功率导致器件损坏。
    3. 电路布局:在设计 PCB 时,确保良好的接地和去耦电容布置,以减少信号干扰和提高稳定性。

    兼容性和支持


    该产品与同系列其他型号混频器引脚兼容且功能一致,支持多种 UTRA 频段的应用。制造商提供详细的用户手册和技术支持服务,以帮助客户进行有效的安装和调试。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 上电后无法正常工作 | 检查电源电压是否在 4.75V 至 5.25V 之间,确保所有连接正确。 |
    | 输出信号失真严重 | 检查输入信号的频率和功率是否符合要求,适当调整本振功率。 |
    | 温度过高报警 | 确保良好的散热设计,可以考虑使用散热片或散热器。 |

    总结和推荐


    IDTF1178NBGI 是一款具有高性能和高可靠性的 RF 到 IF 双下变频混频器。其卓越的线性度、低噪声特性和快速响应时间使其成为多模式多载波基站接收机的理想选择。对于需要高精度和高性能的应用场景,我们强烈推荐使用这款混频器。通过细致的设计和先进的技术,IDTF1178NBGI 无疑将在无线通信领域发挥重要作用。

F1178NBGI8参数

参数
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
支持协议 -
最大工作频率 3.8GHz
最小工作频率 3.4GHz,3.8GHz
通用封装 QFN-36-EP
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

F1178NBGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

F1178NBGI8数据手册

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F1178NBGI8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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