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PJQ5462A-AU_R2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2.4W(Ta),71.4W(Tc) 2.5V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 20A,10V 42mA 2.142nF@25V DFN-5060-8L 贴片安装
供应商型号: 3757-PJQ5462A-AU_R2_000A1DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ5462A-AU_R2_000A1

PJQ5462A-AU_R2_000A1参数

参数
栅极电荷 40nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 20A,10V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 42mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 2.4W(Ta),71.4W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.142nF@25V
通用封装 DFN-5060-8L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJQ5462A-AU_R2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ5462A-AU_R2_000A1 PJQ5462A-AU_R2_000A1数据手册

PJQ5462A-AU_R2_000A1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.8975 ¥ 16.0339
10+ $ 1.091 ¥ 9.13
100+ $ 0.7292 ¥ 6.1029
500+ $ 0.5743 ¥ 4.8063
1000+ $ 0.5244 ¥ 4.3888
库存: 5336
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 16.03
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