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PJT7603_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1V@ 250µA,2.5V@ 250µA 0.95nC@ 4.5V,1.1nC@ 4.5V N+P沟道 -60V,50V 1.5Ω@ 500mA,10V,4mΩ@ 500mA,10V 400mA 36pF@ 25V,51pF@ 25V SOT-363 贴片安装
供应商型号: 3757-PJT7603_R1_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJT7603_R1_00001

PJT7603_R1_00001参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -60V,50V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 36pF@ 25V,51pF@ 25V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA,2.5V@ 250µA
FET类型 N+P沟道
Id-连续漏极电流 400mA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 500mA,10V,4mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 0.95nC@ 4.5V,1.1nC@ 4.5V
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJT7603_R1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001数据手册

PJT7603_R1_00001封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.082 ¥ 0.6865
6000+ $ 0.0759 ¥ 0.6351
9000+ $ 0.0701 ¥ 0.5869
15000+ $ 0.0687 ¥ 0.5747
21000+ $ 0.0684 ¥ 0.5728
30000+ $ 0.0655 ¥ 0.5485
75000+ $ 0.0635 ¥ 0.5311
150000+ $ 0.0618 ¥ 0.5173
库存: 6000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 2059.5
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