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PJD25N04_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 4.4nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 32mΩ@ 12A,10V 21mA TO-252AA
供应商型号: 241-PJD25N04L200001
供应商: Mouser
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD25N04_L2_00001

PJD25N04_L2_00001参数

参数
Id-连续漏极电流 21mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 12A,10V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 4.4nC@ 4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252AA

PJD25N04_L2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD25N04_L2_00001 PJD25N04_L2_00001数据手册

PJD25N04_L2_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.7935 ¥ 6.7051
10+ $ 0.4968 ¥ 4.198
100+ $ 0.3058 ¥ 2.584
500+ $ 0.2279 ¥ 1.9256
1000+ $ 0.2052 ¥ 1.7339
3000+ $ 0.175 ¥ 1.4784
库存: 0
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最小起订量为:1
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