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PJA3415AE_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1.25W(Ta) 8V 1V@ 250µA 24nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 50mΩ@ 4.3A,4.5V 4.3A 907pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: PJA3415AE_R1_00001 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3415AE_R1_00001

PJA3415AE_R1_00001概述

    # PPJA3415AE 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    PPJA3415AE 是一款由 Panjit International Inc. 生产的 20V P 沟道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),具有出色的性能和可靠性。它广泛应用于开关负载和脉宽调制(PWM)电路中,能够有效满足高功率转换需求。此外,该产品采用先进的沟槽工艺技术制造,具备 ESD 保护(2KV HBM)及无铅环保设计,符合欧盟 RoHS 2.0 标准,并采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    关键电气特性
    - 漏源电压 (VDS):-20V
    - 栅源电压 (VGS):+8V
    - 连续漏极电流 (ID):-4.3A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-17.2A
    - 热阻 (RθJA):100°C/W
    静态特性
    - 击穿电压 (BVDSS):-20V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -4.5V, ID = -4.3A:42-50mΩ
    - VGS = -2.5V, ID = -4.0A:49-58mΩ
    - VGS = -1.8V, ID = -2.4A:59-73mΩ
    动态特性
    - 门电荷 (Qg):24nC
    - 输入电容 (Ciss):907pF
    - 输出电容 (Coss):90pF
    - 反向传输电容 (Crss):70pF
    工作温度范围
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG):-55°C 至 150°C
    热管理
    - 最大功率耗散 (PD):Ta=25°C 时为 1.25W;超过 25°C 后每增加 1°C 降低 10mW

    产品特点和优势


    PPJA3415AE 的主要特点如下:
    1. 低导通电阻:提供较低的 RDS(on),特别是在典型工作电压下,确保高效的功率转换效率。
    2. 高级沟槽工艺:采用先进的沟槽工艺技术,提升器件的稳定性和可靠性。
    3. ESD 保护:集成 2KV HBM ESD 保护,减少因静电放电导致的损坏风险。
    4. 绿色环保设计:符合 RoHS 和 IEC 61249 标准,适合无铅回流焊工艺,同时保证环保合规。
    5. 宽泛的工作温度范围:能够在极端条件下保持稳定运行,适应严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    PPJA3415AE 主要适用于以下应用领域:
    - 开关电源(Switch Power Supply)
    - DC-DC 转换器
    - 负载开关(Load Switch)
    - 简单逆变器电路
    使用建议
    1. 散热管理:由于其热阻较高(RθJA=100°C/W),建议通过增大散热片或优化 PCB 布局来降低温升。
    2. 门极驱动设计:为避免因过高的门电荷导致开关损耗,建议使用较低阻抗的门极驱动器,并结合适当的栅极电阻值。
    3. ESD 防护:在 PCB 设计中加入 TVS 二极管或静电防护网络,以防止外部静电对器件的损害。

    兼容性和支持


    兼容性
    PPJA3415AE 支持标准 SOT-23 封装,可直接替换市场上同封装的产品。它与主流焊接工艺兼容,适合批量生产。
    厂商支持
    Panjit International 提供详尽的技术文档和持续的技术支持,客户可通过其官方网站获取最新的产品更新和技术资料。此外,还提供针对客户的定制化技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间器件温度异常升高 | 检查散热设计是否足够,优化 PCB 布局或增加散热片 |
    | 开关频率下开关损耗偏大 | 减少门极电荷 (Qg) 或调整门极驱动器参数 |
    | 器件发生 ESD 损坏 | 在 PCB 上添加 ESD 保护组件,例如 TVS 二极管 |

    总结和推荐


    PPJA3415AE 是一款高性能、高可靠性的 20V P 沟道增强模式 MOSFET,具有出色的导通电阻、高耐压能力和良好的环境适应性。它非常适合开关负载和 PWM 应用场景,尤其适用于需要高效率和稳定性的场合。尽管热阻较高,但通过合理的 PCB 布局和散热设计可以完全克服这一限制。因此,强烈推荐此产品用于工业级电源和开关控制领域。
    如果您正在寻找高效且环保的电子元器件,PPJA3415AE 将是一个理想的选择。

PJA3415AE_R1_00001参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 907pF@10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
配置 独立式withbuilt-indiode
栅极电荷 24nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 8V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 4.3A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4.3A
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJA3415AE_R1_00001数据手册

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PJA3415AE_R1_00001封装设计

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