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PJMP360N60EC_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 87.5W(Tc) 4V@ 250µA 18.7nC@ 10 V 1个N沟道 600V 360mΩ@ 5.5A,10V 11mA 735pF@400V TO-220AB-L 通孔安装
供应商型号: AV-S-PJTPJMP360N60ECT!A
供应商: Avnet
标准整包数: 50
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMP360N60EC_T0_00001

PJMP360N60EC_T0_00001概述

    # PJMP360N60EC 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本描述
    PJMP360N60EC 是一款 600V N 沟道超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220AB-L 封装。该产品具备低导通电阻和高开关速度等特点,适用于多种电源转换应用。
    应用领域
    - 监视器电源
    - 电视电源
    - 适配器充电器

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 600 | 710 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 313 | 360 | mΩ |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 3.0 | 4 | V |
    | 门极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 18.7 | - | nC |
    | 开关时间延迟 | td(on) | - | 30 | - | ns |
    | 反向恢复时间 | Trr | - | 291 | - | ns |
    环境参数
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    热阻
    - 结到外壳热阻:RθJC ≤ 1.43 °C/W
    - 结到环境热阻:RθJA ≤ 62.5 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为 313mΩ(VGS=10V 时),保证了较高的能效。
    2. 高开关速度:能够实现快速的开关操作。
    3. 坚固耐用:100% 雪崩测试和 Rg 测试,确保在严苛条件下稳定工作。
    4. 环保合规:无铅材料,符合欧盟 RoHS 2.0 标准。
    5. 可靠封装:符合 MIL-STD-750 标准,焊锡性良好。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    PJMP360N60EC 主要应用于监视器电源、电视电源和适配器充电器等领域。这些应用要求高效率和稳定的电源输出,PJMP360N60EC 的低导通电阻和高开关速度使其成为理想选择。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热管理,特别是大电流和高频率应用下。
    - 为避免因过压导致损坏,建议选择合适的栅极电阻来限制 dv/dt。
    - 对于需要更高速度的应用,可适当降低栅极电荷 Qg。

    兼容性和支持


    兼容性
    PJMP360N60EC 采用标准的 TO-220AB-L 封装,易于与各种电源管理模块和板卡进行连接。它能够与其他常见的 MOSFET 产品互换,以适应不同的电路设计需求。
    支持和服务
    Panjit International Inc. 提供全面的技术支持,包括详细的文档资料、测试报告和设计指南。客户可以访问公司网站获取最新的技术文档和支持信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查 VGS 是否达到设定值(如 10V)|
    | 开关损耗过大 | 调整栅极电阻,优化驱动信号 |
    | 散热问题 | 增加散热片或使用更好的散热设计 |

    总结和推荐


    PJMP360N60EC 作为一款高性能的 600V N 沟道超级结 MOSFET,在多个关键指标上表现卓越,尤其适合高效率电源转换应用。其独特的设计和广泛的应用领域使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐 PJMP360N60EC 用于需要高效电源管理的应用场合。

PJMP360N60EC_T0_00001参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 11mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 5.5A,10V
通道数量 -
栅极电荷 18.7nC@ 10 V
最大功率耗散 87.5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 735pF@400V
通用封装 TO-220AB-L
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

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PJMP360N60EC_T0_00001封装设计

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1050+ $ 0.4926 ¥ 4.3597
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