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PJW7N06A_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 20nC@ 10V 1个N沟道 60V 34mΩ@ 6A,10V 6.6mA SOT-223
供应商型号: 3757-PJW7N06A_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJW7N06A_R2_00001

PJW7N06A_R2_00001参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 20nC@ 10V
Id-连续漏极电流 6.6mA
Rds(On)-漏源导通电阻 34mΩ@ 6A,10V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 SOT-223

PJW7N06A_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJW7N06A_R2_00001 PJW7N06A_R2_00001数据手册

PJW7N06A_R2_00001封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.2012 ¥ 1.684
5000+ $ 0.1842 ¥ 1.5417
7500+ $ 0.1756 ¥ 1.4693
12500+ $ 0.1658 ¥ 1.3879
17500+ $ 0.1601 ¥ 1.3396
25000+ $ 0.1545 ¥ 1.2928
62500+ $ 0.1521 ¥ 1.2729
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 4210
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型号 价格(含增值税)
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