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PJD25N06A_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),40W(Tc) 2.5V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 60V 34mΩ@ 15A,10V 25mA 1.173nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: PJD25N06A_L2_00001 TO-252AA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD25N06A_L2_00001

PJD25N06A_L2_00001概述

    PPJD25N06A 技术手册解析

    一、产品简介


    PPJD25N06A 是一款由Panjit International Inc.生产的60V N沟道增强型MOSFET,适用于多种高效率功率转换应用。其核心特性包括低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度,使其在电力管理、电机驱动和DC-DC转换等领域具有广泛应用前景。

    二、技术参数


    以下是PPJD25N06A的主要技术参数:
    - 电压范围:60V
    - 连续电流:25A
    - 最大脉冲电流:100A
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V时,典型值为28mΩ;最大值为34mΩ
    - VGS=4.5V时,典型值为33mΩ;最大值为40mΩ
    - 开启电压(VGS(th)):1.0V~2.5V
    - 最大反向漏电电流(IDSS):1μA
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为20nC
    - 输入电容(Ciss):典型值1173pF
    - 输出电容(Coss):典型值63pF
    - 工作温度范围:-55℃至150℃
    - 封装形式:TO-252AA

    三、产品特点和优势


    PPJD25N06A具备以下显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:出色的RDS(ON)表现显著降低功耗,提升系统效率。
    2. 高速开关能力:适合高频工作环境,减少切换损耗。
    3. 环保设计:采用无铅工艺,符合欧盟RoHS标准,同时绿色模塑化合物满足IEC61249规范,不含卤素。
    4. 优越的热特性:热阻低(RθJA=62.5°C/W),提高长期稳定性。

    四、应用案例和使用建议


    PPJD25N06A适用于各类电源管理和驱动控制应用,如:
    - DC-DC转换器:因其高效的开关速度和低导通电阻,在高效能DC-DC转换器中表现优异。
    - 电机驱动:适配中小型电机驱动器,尤其适合需要高频控制的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需确保栅极驱动电阻(RG)低于推荐值以优化开关速度。
    - 为了防止过热问题,建议在高功率场景中添加适当的散热片。

    五、兼容性和支持


    PPJD25N06A采用标准TO-252AA封装,广泛兼容现有PCB布局。Panjit International Inc.提供全面的技术支持,包括样品申请、技术支持热线及官网文档更新服务。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片面积或改进电路布局。 |
    | 高频驱动时出现振荡 | 减少寄生电感,使用陶瓷电容器稳定电路。 |
    | 启动时栅极不完全关断 | 检查并调整栅极电阻(RG)设置。 |

    七、总结和推荐


    PPJD25N06A是一款综合性能卓越的MOSFET,以其低导通电阻、快速开关能力和环保设计成为高效率电力应用的理想选择。其广泛的应用范围、良好的兼容性和全面的技术支持使其在市场上具备很强的竞争优势。对于需要高效、可靠电力管理的工程师和企业,强烈推荐PPJD25N06A作为首选方案。

PJD25N06A_L2_00001参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 25mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 2W(Ta),40W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 20nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 34mΩ@ 15A,10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.173nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD25N06A_L2_00001数据手册

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PJD25N06A_L2_00001封装设计

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