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PJQ4464AP_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),40W(Tc) 2.5V@ 250µA 13.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 17mΩ@ 16A,10V 33mA 1.574nF@25V DFN-3333-8L 贴片安装
供应商型号: 3757-PJQ4464AP_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 5000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ4464AP_R2_00001

PJQ4464AP_R2_00001参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.574nF@25V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 13.5nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2W(Ta),40W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 16A,10V
Id-连续漏极电流 33mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 DFN-3333-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

PJQ4464AP_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ4464AP_R2_00001 PJQ4464AP_R2_00001数据手册

PJQ4464AP_R2_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.2077 ¥ 1.7382
10000+ $ 0.192 ¥ 1.6067
15000+ $ 0.184 ¥ 1.5397
25000+ $ 0.1755 ¥ 1.4687
库存: 0
起订量: 5000 增量: 1
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