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PJQ4404P-AU_R2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),31W(Tc) 2.5V@ 250µA 12nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 6mΩ@ 10A,10V 60mA 1.323nF@25V DFN-3333-8L 贴片安装
供应商型号: 3757-PJQ4404P-AU_R2_000A1DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ4404P-AU_R2_000A1

PJQ4404P-AU_R2_000A1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 10A,10V
Id-连续漏极电流 60mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 2W(Ta),31W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.323nF@25V
通道数量 -
栅极电荷 12nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
通用封装 DFN-3333-8L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJQ4404P-AU_R2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ4404P-AU_R2_000A1 PJQ4404P-AU_R2_000A1数据手册

PJQ4404P-AU_R2_000A1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.0465 ¥ 8.8429
10+ $ 0.6113 ¥ 5.1653
100+ $ 0.3823 ¥ 3.1994
500+ $ 0.2935 ¥ 2.4561
1000+ $ 0.2649 ¥ 2.2165
2000+ $ 0.2408 ¥ 2.0149
库存: 2901
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.84
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