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PJD50P04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个P沟道 40V 50A TO-252AA
供应商型号: PJD50P04 TO-252AA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD50P04

PJD50P04概述

    PPJD50P04 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PPJD50P04 是一款采用 TO-252AA 封装的 40V P-通道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要应用于高压开关电源、电机驱动器、逆变器和其他需要高可靠性及高效率的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 最大耐压:VDS = -40V
    - 最大电流:
    - 持续电流(TC=25℃):ID = -50A
    - 脉冲电流(TC=25℃):IDM = -166A
    - 功耗:
    - 持续功耗(TC=25℃):PD = 63W
    - 持续功耗(TC=100℃):PD = 25W
    - 热阻:
    - 结至外壳:RθJC = 2.0℃/W
    - 结至环境:RθJA = 62.5℃/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻(VGS=-10V, ID=-10A):RDS(on) < 12mΩ
    - 导通电阻(VGS=-4.5V, ID=-8A):RDS(on) < 17.5mΩ
    - 输入电容:Ciss < 2767pF
    - 输出电容:Coss < 247pF
    - 反向传输电容:Crss < 139pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:VGS=-10V 时,RDS(on) < 12mΩ;VGS=-4.5V 时,RDS(on) < 17.5mΩ。
    - 高速开关:具有高开关速度,适用于高频应用。
    - 低栅极电荷:Qg < 23nC,适合要求低开关损耗的应用。
    - 低反向传输电容:Crss < 139pF,有助于减少高频应用中的损耗。
    - 环保材料:无铅且符合欧盟 RoHS 2.0 标准,绿色模具化合物符合 IEC 61249 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高压开关电源:利用其低导通电阻特性提高效率。
    - 电机驱动器:实现高效电机控制。
    - 逆变器:适用于需要高速开关的应用。

    - 使用建议:
    - 在选择栅极驱动器时,应确保能够提供足够的电压来降低导通电阻。
    - 注意散热设计,尤其是在高功率应用中,确保热阻不超过允许范围。
    - 使用适当的PCB布局,确保良好的电气连接和散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与市场上常见的电源模块和控制器兼容,可以方便地集成到现有的设计中。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档、应用指南和支持服务,以帮助客户进行设计和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保良好的散热?
    - 解决方案:使用大面积铜散热片和良好的PCB布局,确保MOSFET的热能能够有效散出。
    - 问题2:栅极驱动器选择不当,导致发热严重?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器,确保其能够提供足够的电压和电流,以降低导通电阻并减少发热。
    - 问题3:开关频率过高,导致开关损耗增加?
    - 解决方案:适当降低开关频率,或者选择更低栅极电荷的产品,以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    PPJD50P04 是一款高性能、高可靠性的 P-通道增强型 MOSFET,特别适用于高压开关电源和电机驱动器等应用。其低导通电阻、高速开关和环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。综上所述,强烈推荐使用该产品。

PJD50P04参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-252AA

PJD50P04数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD50P04 PJD50P04数据手册

PJD50P04封装设计

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