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PJQ5423_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 27nC@ 4.5V 1个P沟道 30V 8.5mΩ@ 10A,10V 60A DFN-5060-8L
供应商型号: 3757-PJQ5423_R2_00001CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ5423_R2_00001

PJQ5423_R2_00001概述

    PPJQ5423 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PPJQ5423 是一款30V P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关应用设计。该器件适用于多种应用领域,如电源管理、电机驱动、电池充电等。其主要特点是低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的电气特性。

    2. 技术参数


    以下是PPJQ5423的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | -20 | +20 | - | V |
    | 连续漏极电流(TC=25°C) | ID | -60 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流(Note 1) | IDM | -240 | - | - | A |
    | 功率耗散(TC=25°C) | PD | 63 | - | - | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    PPJQ5423具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:VGS@-10V时,ID@-10A时RDS(on)≤8.5mΩ;VGS@-4.5V时,ID@-8A时RDS(on)≤14mΩ。
    - 高开关速度:改善了dv/dt能力。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷有助于减少开关损耗。
    - 低反向转移电容:降低寄生效应,提高整体效率。
    - 符合环保要求:无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准,采用符合IEC 61249标准的绿色封装材料。

    4. 应用案例和使用建议


    PPJQ5423广泛应用于各种电力系统和控制电路中,如DC/DC转换器、马达驱动器、电源适配器等。为了充分利用其特性,建议:
    - 在选择栅极驱动器时,确保其能够提供足够的栅极电荷。
    - 优化散热设计以确保最大功率耗散不超过额定值。
    - 使用适当的PCB布局以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    PPJQ5423采用DFN5060-8L封装,适合于标准的表面贴装工艺。此外,制造商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够轻松集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热
    - 解决方案:检查散热设计,确保使用足够大的散热片或增加散热片数量。

    - 问题:产品不工作
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保栅极电压和漏极电压在额定范围内。

    7. 总结和推荐


    总体而言,PPJQ5423是一款性能优异的P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和优良的电气特性。对于需要高性能电力转换和高效能应用的场合,PPJQ5423是一个很好的选择。我们强烈推荐使用这款产品,以获得最佳的性能和可靠性。

PJQ5423_R2_00001参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 27nC@ 4.5V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 60A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 10A,10V
通用封装 DFN-5060-8L

PJQ5423_R2_00001数据手册

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