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PJA3439-AU_R1_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 500mW(Ta) 2.5V@ 250µA 1.1nC@ 4.5 V 1个P沟道 60V 4Ω@ 500mA,10V 300mA 51pF@25V SOT-23 贴片安装
供应商型号: PJA3439-AU_R1_000A1 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3439-AU_R1_000A1

PJA3439-AU_R1_000A1概述

    电子元器件产品技术手册解析:PPJA3439-AU

    1. 产品简介


    PPJA3439-AU是一款P沟道增强模式功率MOSFET,属于高性能电子元器件,主要用于需要快速开关和高效率的应用场景。它的主要功能是实现电压的转换和控制,适用于继电器驱动、高速线路驱动等领域。作为一款符合AEC-Q101标准的产品,它在汽车电子和工业控制领域具有广泛的适用性,同时也符合欧盟RoHS 2.0法规的要求。

    2. 技术参数


    以下是PPJA3439-AU的技术规格及性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -60 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -1.5 | -2.5 | V |
    | 漏源导通电阻(不同条件) | RDS(on) 2.4~4.0 | 2.65~6.0| Ω |
    | 持续漏极电流 | ID | -300 mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -1000 mA |
    | 功耗 | PD 500 mW |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG | -55 150 | °C |
    | 热阻抗 | RθJA 250 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的沟槽工艺技术:确保低导通电阻与高效能表现。
    - 专用设计:特别针对继电器驱动、高速线路驱动等应用优化。
    - 认证合规:通过AEC-Q101标准测试,适合汽车行业使用;同时满足RoHS环保要求。
    - 可靠性和耐用性:采用无卤素材料制造,并符合IEC 61249标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    PPJA3439-AU广泛应用于汽车电子系统、工业自动化设备以及消费电子产品中。例如,在汽车电子中可用于电池管理系统中的开关元件;在工业控制方面则适合于电机控制单元内的信号切换组件。
    对于用户而言,在选择此型号时需考虑其工作环境条件如温度范围等因素以确保最佳性能发挥。此外,合理安排电路布局可以进一步提高整体系统的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    该器件采用SOT-23封装形式,易于焊接安装且与多种主流PCB板材兼容。制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性曲线图、热阻抗计算方法等内容可供参考。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决办法如下:
    - 问题1:通电后发现设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查输入电源是否符合规定电压范围,并确认所有连接点牢固可靠。

    - 问题2:长时间运行后出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施或降低功耗水平,必要时可更换更大散热片面积的产品版本。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PPJA3439-AU凭借其卓越的技术指标、多样化的应用场景以及良好的性价比,在众多竞争者中脱颖而出。对于需要高性能P沟道增强模式MOSFET的企业和个人来说,这无疑是一个值得信赖的选择。因此强烈推荐使用这款产品来满足您的特定需求。

PJA3439-AU_R1_000A1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 51pF@25V
栅极电荷 1.1nC@ 4.5 V
最大功率耗散 500mW(Ta)
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 300mA
配置 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJA3439-AU_R1_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1数据手册

PJA3439-AU_R1_000A1封装设计

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