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PJE8406_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 350mW(Ta) 12V 1V@ 250µA 0.92nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 400mΩ@ 500mA,4.5V 800μA 50pF@10V SOT-523 贴片安装
供应商型号: 241-PJE8406_R1_00001
供应商: Mouser
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJE8406_R1_00001

PJE8406_R1_00001参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 800μA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@10V
配置 -
栅极电荷 0.92nC@ 4.5 V
最大功率耗散 350mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 500mA,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

PJE8406_R1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJE8406_R1_00001 PJE8406_R1_00001数据手册

PJE8406_R1_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.299 ¥ 2.5266
10+ $ 0.2047 ¥ 1.7297
100+ $ 0.1058 ¥ 0.894
1000+ $ 0.0825 ¥ 0.6971
4000+ $ 0.0734 ¥ 0.6206
8000+ $ 0.0551 ¥ 0.4654
24000+ $ 0.0525 ¥ 0.4436
100000+ $ 0.0515 ¥ 0.4348
库存: 40195
起订量: 1 增量: 1
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最小起订量为:1
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