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PJE8428_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 300mW(Ta) 1V@ 250µA 0.9nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 1.2Ω@ 300mA,4.5V 300μA 45pF@10V SOT-523 贴片安装
供应商型号: AMS-PJE8428_R1_00001
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJE8428_R1_00001

PJE8428_R1_00001概述

    # 电子元器件产品技术手册:PPJE8428 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    PPJE8428是一款30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道场效应晶体管),主要用于继电器驱动、高速线驱动等领域。该产品采用先进的沟槽工艺技术制造,具有ESD保护功能,并且符合RoHS标准,是一款绿色环保的电子元件。

    技术参数


    以下是PPJE8428的技术规格和性能参数:
    - 电压:最大漏源电压(VDS)为30V。
    - 电流:连续漏极电流(ID)为300mA;脉冲漏极电流(IDM)为600mA。
    - 功率耗散:在25°C环境温度下为300mW,超过25°C时每摄氏度降低2.4mW。
    - 热阻:结到环境的热阻(RθJA)为417°C/W。
    - 工作温度范围:结温和存储温度范围为-55°C至150°C。
    - 其他特性:输入电容(Ciss)为45pF;输出电容(Coss)为14pF;反向转移电容(Crss)为0.8pF。

    产品特点和优势


    PPJE8428具备以下特点和优势:
    - 先进的沟槽工艺技术:提高了器件的可靠性和稳定性。
    - ESD保护:提供了额外的安全保障,防止静电损害。
    - 适合特定应用:特别设计用于继电器驱动和高速线驱动等应用。
    - 环保材料:无铅且符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,绿色封装材料符合IEC61249标准(无卤素)。

    应用案例和使用建议


    PPJE8428主要应用于以下场景:
    - 继电器驱动:适用于需要控制电流的小型电路。
    - 高速线驱动:可用于高速数据传输线路。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保电源电压不超过30V,以避免损坏。
    - 考虑到温度影响,确保器件工作在规定的温度范围内,尤其是在高温环境下应适当降额使用。
    - 建议进行适当的散热设计,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    PPJE8428采用SOT-523封装,可以方便地安装在标准的PCB板上。制造商提供了详细的技术支持文档和应用指南,以帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,还提供了一系列的样品和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:器件温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,以保证正常工作温度。
    - 问题:无法达到预期的驱动电流
    - 解决方案:检查电源电压是否足够,同时确认负载电阻是否合适。

    总结和推荐


    PPJE8428是一款高性能的30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,具备优良的性能和可靠性。其先进的沟槽工艺技术和ESD保护使其成为许多应用的理想选择。特别是对于需要高可靠性和环保要求的应用场合,PPJE8428是一个值得推荐的产品。
    综上所述,我强烈推荐PPJE8428用于继电器驱动和高速线驱动等应用,它能为您提供出色的性能和长久的使用寿命。

PJE8428_R1_00001参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 300μA
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 0.9nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 45pF@10V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 300mA,4.5V
最大功率耗散 300mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJE8428_R1_00001数据手册

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PJE8428_R1_00001封装设计

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