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PJMF130N65EC_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 33W(Tc) 4V@ 250µA 51nC@ 10 V 1个N沟道 650V 130mΩ@ 10.8A,10V 29mA 1.92nF@400V ITO-220AB-F 通孔安装
供应商型号: 3757-PJMF130N65EC_T0_00001-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMF130N65EC_T0_00001

PJMF130N65EC_T0_00001参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 29mA
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 33W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 51nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.92nF@400V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 10.8A,10V
通用封装 ITO-220AB-F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

PJMF130N65EC_T0_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJMF130N65EC_T0_00001 PJMF130N65EC_T0_00001数据手册

PJMF130N65EC_T0_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 8.6832 ¥ 73.373
10+ $ 5.6878 ¥ 47.5994
100+ $ 4.1745 ¥ 34.935
500+ $ 3.59 ¥ 30.0434
库存: 1976
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 73.37
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