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PJD80N04-AU_L2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2.4W(Ta),79.4W(Tc) 2.5V@ 250µA 25nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 5.5mΩ@ 20A,10V 80mA 1.258nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: PJD80N04-AU_L2_000A1
供应商: 国内现货
标准整包数: 80
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD80N04-AU_L2_000A1

PJD80N04-AU_L2_000A1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 20A,10V
最大功率耗散 2.4W(Ta),79.4W(Tc)
Id-连续漏极电流 80mA
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
通道数量 -
栅极电荷 25nC@ 4.5 V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD80N04-AU_L2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD80N04-AU_L2_000A1 PJD80N04-AU_L2_000A1数据手册

PJD80N04-AU_L2_000A1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 1.3455
800+ ¥ 1.3052
库存: 80
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 107.64
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