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PJS6461_S1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 10nC@ 10V 1个P沟道 60V 110mΩ@ 3.2A,10V 3.2A
供应商型号: 3757-PJS6461_S1_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJS6461_S1_00001

PJS6461_S1_00001参数

参数
栅极电荷 10nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 3.2A,10V
Id-连续漏极电流 3.2A
通道数量 -
包装方式 卷带包装

PJS6461_S1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJS6461_S1_00001 PJS6461_S1_00001数据手册

PJS6461_S1_00001封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.1374 ¥ 1.1496
6000+ $ 0.1252 ¥ 1.0481
9000+ $ 0.119 ¥ 0.9962
15000+ $ 0.1121 ¥ 0.938
21000+ $ 0.108 ¥ 0.9035
30000+ $ 0.104 ¥ 0.87
75000+ $ 0.0983 ¥ 0.8225
库存: 9000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 3448.8
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型号 价格(含增值税)
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