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PCDP1265G1

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述:
供应商型号: AMS-PCDP1265G1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 整流二极管/整流桥 PCDP1265G1

PCDP1265G1概述

    硅碳化物肖特基二极管技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍的是硅碳化物(SiC)肖特基二极管(型号:PCDP1265G1)。这是一种高性能的半导体器件,主要用于电力电子应用中,如功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站和焊接设备。这款二极管以其卓越的开关性能、高浪涌电流能力和低导通损耗而著称。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 重复峰值反向电压 \( V{RRM} \): 650 V
    - 直流阻断电压 \( V{DC} \): 650 V
    - 持续正向电流 \( IF \)(\( TJ = 140^\circ C \)): 12 A
    - 反复峰值浪涌电流 \( I{FRM} \)(半正弦波,D=0.1,\( tp = 10 \text{ms} \)):
    - \( TJ = 25^\circ C \): 48 A
    - \( TJ = 125^\circ C \): 44 A
    - 峰值正向浪涌电流 \( I{FSM} \)(半正弦波,\( tp = 10 \text{ms} \)):
    - \( TJ = 25^\circ C \): 52 A
    - \( TJ = 125^\circ C \): 44 A
    - 峰值正向浪涌电流 \( I{FSM} \)(脉冲,\( tp = 10 \text{us} \)): 640 A
    - 最大总功耗 \( P{total} \): 102.7 W
    - 工作结温范围 \( TJ \): -55~175 \(^\circ C\)
    - 存储温度范围 \( T{STG} \): -55~175 \(^\circ C\)
    - 电气特性:
    - 正向压降 \( VF \)(\( IF = 12 \text{A} \)):
    - \( TJ = 25^\circ C \): 1.5 V
    - \( TJ = 175^\circ C \): 1.8 V
    - 反向漏电流 \( IR \)(\( VR = 650 \text{V} \)):
    - \( TJ = 25^\circ C \): 2.5 μA
    - \( TJ = 175^\circ C \): 0.03 mA
    - 总电容 \( C \):
    - \( VR = 1 \text{V} \), \( f = 1 \text{MHz} \): 452 pF
    - \( VR = 200 \text{V} \), \( f = 1 \text{MHz} \): 44.9 pF
    - \( VR = 400 \text{V} \), \( f = 1 \text{MHz} \): 34 pF
    - 热阻 \( R{\theta JC} \): 1.46 \(^\circ C/\text{W}\)

    产品特点和优势


    1. 温度无关的开关行为:确保了稳定的开关性能,不受温度影响。
    2. 高浪涌电流能力:能够在短时间内承受高电流冲击,适合恶劣的工作环境。
    3. 正向压降随温度上升的特性:确保了更高的稳定性。
    4. 低导通损耗:减少了能量损失,提高了效率。
    5. 零反向恢复:避免了因反向恢复引起的能量损失。
    6. 高结温:可在高达175 \(^\circ C\) 的环境下正常工作。
    7. 符合RoHS标准:不含铅,环保安全。
    8. 绿模化合物:符合IEC 61249标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于PFC电路中进行功率因数校正;在UPS系统中作为保护装置;在光伏逆变器中提高转换效率;在电动汽车充电站中实现高效能充电;在焊接设备中提供可靠的电力控制。
    - 使用建议: 由于其高浪涌电流能力和高结温特性,建议在需要处理较大电流冲击的应用中使用。同时,考虑到其较高的热阻,建议合理布局散热措施以保证其稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品适用于多种电力电子系统,并且具有良好的互操作性。
    - 支持: 厂商提供了详细的技术文档和应用指南,以确保用户能够正确安装和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何处理高温环境下的热管理?
    - A: 确保产品周围有足够的散热空间,并采取适当的散热措施,如加装散热片或风扇。

    2. Q: 如何选择合适的驱动电路?
    - A: 选择合适的门极驱动电路,以确保产品在高频开关时能够保持低损耗。

    总结和推荐


    综上所述,PCDP1265G1是一款性能卓越、应用广泛的硅碳化物肖特基二极管。其独特的技术特点使其成为电力电子领域的理想选择。我们强烈推荐该产品用于各种高可靠性要求的应用中。

PCDP1265G1参数

参数
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
通用封装 TO-220AC

PCDP1265G1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 整流二极管/整流桥 PANJIT/台湾强茂 PCDP1265G1 PCDP1265G1数据手册

PCDP1265G1封装设计

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100+ $ 5.82 ¥ 48.888
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