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PJA3460-AU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2.5V 1个N沟道 60V 2.5mA SOT-23
供应商型号: PJA3460-AU
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3460-AU

PJA3460-AU概述

    # 电子元器件技术手册:PPJA3460-AU

    产品简介


    PPJA3460-AU 是一款高性能的60V N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Panjit International Inc.设计制造。这款器件采用先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,广泛应用于开关负载、PWM(脉宽调制)控制电路等领域。产品符合严格的AEC-Q101汽车质量认证标准,并满足欧盟RoHS 2.0环保要求,是一款绿色、高效的电子元器件。

    技术参数


    以下是PPJA3460-AU的技术规格和关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源电压 | VGS | +20 V |
    | 持续漏极电流 | ID | 2.5 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 10 A |
    | 功率耗散 | PD 1.25 W |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) 55~75 mΩ |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS 1 | µA |
    | 开启温度范围 | TJ,TSTG | -55 150 | °C |
    | 热阻抗 | RθJA 100 °C/W |
    动态电容特性:
    - 总栅电荷(Qg):9.3 nC
    - 输入电容(Ciss):509 pF
    - 输出电容(Coss):47 pF
    - 反向传输电容(Crss):23 pF
    其他特性:
    - 工作环境温度:-55℃至150℃
    - 包装方式:SOT-23封装
    - 重量:0.009克

    产品特点和优势


    PPJA3460-AU 的核心特点在于其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,使其在开关负载和PWM应用中表现出色。此外,它采用了先进的沟槽工艺技术,结合AEC-Q101认证的可靠性,使其非常适合汽车电子和工业控制领域的高要求场景。绿色模具材料和无卤素的设计也体现了对环保的高度重视。
    优势:
    - 低导通电阻(典型值:55~75 mΩ)
    - 快速开关速度
    - 适用于宽温度范围(-55℃~150℃)
    - 符合AEC-Q101汽车质量标准
    - 环保无卤设计

    应用案例和使用建议


    PPJA3460-AU 广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动等电路中。例如,在一个典型的PWM控制电路中,PPJA3460-AU可以作为功率开关管高效工作。
    使用建议:
    1. 为了减少热阻,建议在焊接时采用大面积铜散热片,以提高散热效率。
    2. 在选择驱动电阻(RG)时,应确保其不会导致栅极过压,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    PPJA3460-AU 具有良好的兼容性,可直接替换同规格的其他品牌MOSFET。Panjit International Inc.提供全面的技术支持,包括样品申请、详细设计指南和技术文档更新。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及解决方案:
    1. 问题:开启电压过高,无法正常工作。
    解决办法: 确认驱动电路的电压是否足够高(通常需要大于10V)。
    2. 问题:工作温度超出规定范围。
    解决办法: 添加外部散热装置或调整电路设计以降低功耗。
    3. 问题:输出电流不稳定。
    解决办法: 检查输入电源是否稳定,并确认电路中没有额外负载干扰。

    总结和推荐


    PPJA3460-AU 是一款高可靠性的N沟道MOSFET,其低导通电阻和宽温度适应性使其成为开关电源和PWM控制的理想选择。尤其是对于需要满足AEC-Q101认证的应用场景,如汽车电子,PPJA3460-AU 是一款非常值得推荐的产品。无论是设计灵活性还是性能稳定性,都表现出了卓越的竞争力。因此,我们强烈推荐将其用于现代电子系统设计中。

PJA3460-AU参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 2.5mA
通用封装 SOT-23

PJA3460-AU数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3460-AU PJA3460-AU数据手册

PJA3460-AU封装设计

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