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PJA3461-AU_R1_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1.25W(Ta) 2.5V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个P沟道 60V 170mΩ@ 1.9A,10V 1.9A 430pF@30V SOT-23 贴片安装
供应商型号: PJA3461-AU_R1_000A1 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3461-AU_R1_000A1

PJA3461-AU_R1_000A1概述

    PPJA3461-AU 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    PPJA3461-AU是一款额定电压为60V的P沟道增强型MOSFET。它主要用于开关负载和PWM应用等场合。该器件采用了先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻(RDS(ON)),能够在高电流和高温度下保持稳定性能。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -60 V |
    | 栅源击穿电压 | BVGSS | +20 V |
    | 持续漏极电流 (TA=25°C) | ID | -1.9 A |
    | 脉冲漏极电流 (TA=70°C) | IDM | -7.6 A |
    | 功率耗散 (TA=25°C) | PD | 1.25 W |
    | 脉冲雪崩能量 (L=1mH) | EAS | 32 mJ |
    | 结温及存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 150 | °C |
    | 热阻 (Junction to Ambient) | RθJA 100 °C/W |
    | 漏源导通电阻 (VGS=-10V) | RDS(on) 140 | 170 | mΩ |
    | 漏源导通电阻 (VGS=-4.5V) | RDS(on) 190 | 220 | mΩ |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:VGS=-10V时RDS(ON)<170mΩ,VGS=-4.5V时RDS(ON)<220mΩ。
    - 先进沟槽工艺技术:保证在高电流和高温下的稳定性。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车及其他要求严格的应用环境。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,无卤素,绿色模塑料符合IEC 61249标准。

    4. 应用案例和使用建议


    PPJA3461-AU适合用于开关电源、PWM控制器和马达驱动等应用。在使用过程中,应注意以下几点:
    - 在高脉冲电流情况下,建议加装散热片以防止过热。
    - 在高频切换场合,建议采用较低栅极电阻以减少延迟时间。
    - 在长期工作状态下,确保周围环境温度不超过150°C。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可以与多数常见的SOT-23封装兼容。
    - 支持:Panjit International Inc. 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速解决问题并进行系统集成。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确认栅极电压在规定范围内 |
    | 过热 | 检查散热措施是否有效 |
    | 额定电流超出 | 确认负载不超过额定值 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,PPJA3461-AU凭借其出色的低导通电阻和先进的工艺技术,在多个关键领域表现优异。无论是用于工业控制还是汽车电子,该器件都展现了强大的性能和良好的兼容性。强烈推荐在需要高性能、可靠性和严格环境适应性的应用场景中使用该产品。

PJA3461-AU_R1_000A1参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 1.25W(Ta)
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 1.9A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 430pF@30V
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 1.9A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJA3461-AU_R1_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU_R1_000A1数据手册

PJA3461-AU_R1_000A1封装设计

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