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BSS84W_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 200mW 20V 2V 1个P沟道 50V 10Ω@ 5V 100mA 45pF(Max) @ 25V SOT-323 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) BSS84W_R1_00001

BSS84W_R1_00001概述

    PBSS84W P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PBSS84W 是一款高性能的 P-Channel 增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款 MOSFET 在多个领域有着广泛的应用,如开关电源、手持电脑及个人数字助理(PDAs)等。它的核心优势在于低导通电阻(Low On-Resistance)、低栅极阈值电压(Low Gate Threshold Voltage)以及快速切换能力(Fast Switching)。

    2. 技术参数


    以下是 PBSS84W 的关键技术和电气特性:
    - 基本参数
    - 漏源电压 (Drain-Source Voltage):-50 V
    - 漏栅电压 (Drain-Gate Voltage):-50 V
    - 栅源电压 (Gate-Source Voltage):+20 V
    - 漏极电流 (Drain Current):130 mA
    - 功率耗散 (Power Dissipation):200 mW
    - 工作环境
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 结到环境的热阻 (Thermal Resistance):625°C/W

    3. 产品特点和优势


    PBSS84W 的主要特点是:
    - 低导通电阻 (Low On-Resistance):这意味着它能够有效地减少电力损耗。
    - 低栅极阈值电压 (Low Gate Threshold Voltage):这有助于确保快速和可靠的开关操作。
    - 快速切换 (Fast Switching):使其在高频应用中表现出色。
    - 环保特性:无铅,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,并且采用无卤素的绿色模塑化合物(符合IEC61249标准)。

    4. 应用案例和使用建议


    PBSS84W 主要应用于:
    - 开关电源(Switching Power Supplies)
    - 手持电脑和PDA(Hand-Held Computers, PDAs)
    在使用过程中,确保栅极电阻 (RGS) 小于20KΩ,并遵循建议的布局方式(FR-5板1x0.75x0.062英寸)。对于特定的高温环境,需注意栅源泄漏电流 (IGSS) 和零栅极电压漏极电流 (IDSS) 可能会发生变化。

    5. 兼容性和支持


    PBSS84W 采用 SOT-323 封装,符合 MIL-STD-750 方法2026的可焊性要求。此外,该产品适用于多种电子元器件,具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术文档和支持,以确保用户能够顺利进行安装和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - Q: 如何处理过高的栅极电压?
    - A: 确保栅极电压不超过+20V,必要时添加外部保护电路。

    - Q: 开关延迟时间过长如何解决?
    - A: 检查外围电路设计,确认电源电压和驱动电阻满足要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PBSS84W 是一款在多种应用场合下都能表现出色的 MOSFET。它具备高可靠性、快速切换和优秀的电气性能,适合用于各种开关电源和便携式设备中。建议在涉及高压、高频的环境中使用该产品,以充分发挥其优势。

BSS84W_R1_00001参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω@ 5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 50V
最大功率耗散 200mW
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 45pF(Max) @ 25V
通道数量 -
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

BSS84W_R1_00001数据手册

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