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PJW3N10A_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 3.1W(Ta) 2.5V@ 250µA 9.1nC@ 10 V 1个N沟道 100V 310mΩ@ 2.2A,10V 2.2mA 508pF@30V SOT-223 贴片安装
供应商型号: 3757-PJW3N10A_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJW3N10A_R2_00001

PJW3N10A_R2_00001参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 310mΩ@ 2.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 508pF@30V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 9.1nC@ 10 V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2.2mA
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

PJW3N10A_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJW3N10A_R2_00001 PJW3N10A_R2_00001数据手册

PJW3N10A_R2_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.1676 ¥ 1.4029
5000+ $ 0.153 ¥ 1.2803
7500+ $ 0.1455 ¥ 1.2178
12500+ $ 0.1371 ¥ 1.1476
17500+ $ 0.1322 ¥ 1.106
25000+ $ 0.1273 ¥ 1.0656
62500+ $ 0.1217 ¥ 1.0183
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 3507.25
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