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PJD45N06A-AU_L2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 75W(Tc) 2.5V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 20A,10V 45mA 2.256nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 3757-PJD45N06A-AU_L2_000A1TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD45N06A-AU_L2_000A1

PJD45N06A-AU_L2_000A1参数

参数
栅极电荷 39nC@ 10 V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 20A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 75W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.256nF@25V
Id-连续漏极电流 45mA
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD45N06A-AU_L2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD45N06A-AU_L2_000A1 PJD45N06A-AU_L2_000A1数据手册

PJD45N06A-AU_L2_000A1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.4783 ¥ 4.0028
6000+ $ 0.4455 ¥ 3.7285
9000+ $ 0.4386 ¥ 3.6704
库存: 0
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
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型号 价格(含增值税)
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