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PJP45N06A_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 39nC@ 10V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 20A,10V 55mA TO-220AB
供应商型号: 3757-PJP45N06A_T0_00001-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJP45N06A_T0_00001

PJP45N06A_T0_00001参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 39nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 55mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-220AB

PJP45N06A_T0_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJP45N06A_T0_00001 PJP45N06A_T0_00001数据手册

PJP45N06A_T0_00001封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.4148 ¥ 11.9551
50+ $ 0.6623 ¥ 5.5961
100+ $ 0.5667 ¥ 4.7425
500+ $ 0.4418 ¥ 3.6972
1000+ $ 0.4016 ¥ 3.3606
2000+ $ 0.3677 ¥ 3.0774
5000+ $ 0.3311 ¥ 2.7708
10000+ $ 0.3085 ¥ 2.5815
库存: 1841
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 11.95
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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