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BSS8402DW _R1 _00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 20V N+P沟道 -50V,60V 100mA SOT-363 贴片安装
供应商型号: AV-S-BSS8402DW _R1 _00001
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) BSS8402DW _R1 _00001

BSS8402DW _R1 _00001概述

    BSS8402DW 双通道互补增强型MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSS8402DW 是一种高效的互补对增强型MOSFET,包含一个N沟道和一个P沟道的电隔离对。此组件特别适用于空间受限的应用场合,如便携式计算机、PDA和其他需要高集成度的设备。它采用紧凑的SOT-363封装,是市场上体积最小的同类产品之一。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 总功率耗散(注1) | 200 | mW |
    | 工作结温及存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | N沟道最大额定值
    | 源漏电压(V) | 60 | V |
    | 源栅电压(V) | ±20 | V |
    | 持续漏电流(ID) | 115 | mA |
    | P沟道最大额定值
    | 源漏电压(V) | -50 | V |
    | 源栅电压(V) | ±20 | V |
    | 持续漏电流(ID) | 130 | mA |
    | 结到环境热阻(注1) | 625 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:减少功耗,提高效率。
    - 低栅极阈值电压:简化驱动电路设计,降低控制复杂性。
    - 快速开关:减小切换损耗,提升整体系统性能。
    - 互补对:提供双向驱动能力,增加灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源供应:BSS8402DW 可用于高效电源转换,尤其是在手持设备中,其紧凑的封装使得电源管理更加灵活。
    - 便携设备:适用于手提电脑和PDA等需要高性能但空间有限的设备。
    - 建议:为了最大化其性能,建议合理安排散热路径,并确保良好的接地。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品符合欧盟RoHS标准,采用无铅和绿色模具化合物制造。
    - 厂商提供详细的技术文档和支持,以帮助客户进行正确的安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 调整栅极电阻以改善切换速度 |
    | 温度过高 | 确保足够的散热措施,必要时添加散热片|

    7. 总结和推荐


    BSS8402DW 以其低导通电阻、快速开关和高集成度,在手持设备中表现出色。其设计旨在满足苛刻的应用需求,具有广泛的应用前景。强烈推荐使用此组件,特别是对于那些寻求高效率和紧凑解决方案的工程师和设计师。

BSS8402DW _R1 _00001参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -50V,60V
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100mA
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

BSS8402DW _R1 _00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 BSS8402DW _R1 _00001 BSS8402DW _R1 _00001数据手册

BSS8402DW _R1 _00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30000+ $ 0.041 ¥ 0.3628
165000+ $ 0.0357 ¥ 0.3163
318000+ $ 0.0346 ¥ 0.3065
库存: 141000
起订量: 30000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:30000
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