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PJQ4463AP_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2.1W(Ta) 2.5V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个P沟道 60V 68mΩ@ 6A,10V 4.2A 879pF@30V DFN-3333-8L 贴片安装
供应商型号: 3757-PJQ4463AP_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 5000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ4463AP_R2_00001

PJQ4463AP_R2_00001参数

参数
栅极电荷 17nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 68mΩ@ 6A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 2.1W(Ta)
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 879pF@30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 DFN-3333-8L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJQ4463AP_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ4463AP_R2_00001 PJQ4463AP_R2_00001数据手册

PJQ4463AP_R2_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.1747 ¥ 1.4621
10000+ $ 0.161 ¥ 1.3475
15000+ $ 0.154 ¥ 1.2891
25000+ $ 0.1462 ¥ 1.2235
35000+ $ 0.1427 ¥ 1.1946
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 7310.5
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