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PJW5N06A_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 9.3nC@ 10V 1个N沟道 60V 75mΩ@ 5A,10V 5mA SOT-223
供应商型号: 3757-PJW5N06A_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJW5N06A_R2_00001

PJW5N06A_R2_00001参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5mA
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 9.3nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-223

PJW5N06A_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJW5N06A_R2_00001 PJW5N06A_R2_00001数据手册

PJW5N06A_R2_00001封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.1941 ¥ 1.6247
5000+ $ 0.1776 ¥ 1.4866
7500+ $ 0.1692 ¥ 1.4161
12500+ $ 0.1598 ¥ 1.337
17500+ $ 0.1542 ¥ 1.2902
25000+ $ 0.1487 ¥ 1.2447
62500+ $ 0.1456 ¥ 1.2185
库存: 0
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
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