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PJQ5428_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),83W(Tc) 2.5V@ 250µA 60nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 1.6mΩ@ 20A,10V 130mA 6.771nF@25V DFN-5060-8L 贴片安装
供应商型号: 241-PJQ5428_R2_00001
供应商: Mouser
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ5428_R2_00001

PJQ5428_R2_00001参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.771nF@25V
栅极电荷 60nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 130mA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6mΩ@ 20A,10V
最大功率耗散 2W(Ta),83W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 DFN-5060-8L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJQ5428_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ5428_R2_00001 PJQ5428_R2_00001数据手册

PJQ5428_R2_00001封装设计

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