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PJD45N06A_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 63W(Tc) 2.5V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 20A,10V 45mA 2.256nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 241-PJD45N06AL200001
供应商: Mouser
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD45N06A_L2_00001

PJD45N06A_L2_00001参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 20A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.256nF@25V
最大功率耗散 63W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Id-连续漏极电流 45mA
通道数量 -
栅极电荷 39nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD45N06A_L2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001数据手册

PJD45N06A_L2_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.127 ¥ 9.5232
10+ $ 0.7625 ¥ 6.4427
100+ $ 0.4884 ¥ 4.127
500+ $ 0.3866 ¥ 3.2671
1000+ $ 0.3391 ¥ 2.8656
3000+ $ 0.3046 ¥ 2.5735
6000+ $ 0.273 ¥ 2.3069
库存: 9259
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 9.52
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