处理中...

首页  >  产品百科  >  PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 3.1W(Ta) 2.5V@ 250µA 5.1nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 100mΩ@ 3A,10V 4mA 509pF@15V SOT-223 贴片安装
供应商型号: 3757-PJW4N06A_R2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001参数

参数
Id-连续漏极电流 4mA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 509pF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 3A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 5.1nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJW4N06A_R2_00001数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001数据手册

PJW4N06A_R2_00001封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.1177 ¥ 0.9854
5000+ $ 0.1082 ¥ 0.9055
7500+ $ 0.1066 ¥ 0.8922
12500+ $ 0.106 ¥ 0.8871
17500+ $ 0.1057 ¥ 0.8845
25000+ $ 0.1038 ¥ 0.8683
62500+ $ 0.1006 ¥ 0.8421
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 2463.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336