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PJC7476_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 350mW(Ta) 2.5V@ 250µA 1.8nC@ 10 V 1个N沟道 100V 6Ω@ 300mA,10V 300μA 45pF@25V SOT-323 贴片安装
供应商型号: 3757-PJC7476_R1_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJC7476_R1_00001

PJC7476_R1_00001参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 1.8nC@ 10 V
最大功率耗散 350mW(Ta)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 45pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 300mA,10V
Id-连续漏极电流 300μA
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

PJC7476_R1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001数据手册

PJC7476_R1_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0699 ¥ 0.5849
6000+ $ 0.065 ¥ 0.5438
9000+ $ 0.0601 ¥ 0.5026
15000+ $ 0.059 ¥ 0.4935
21000+ $ 0.0562 ¥ 0.4707
30000+ $ 0.0546 ¥ 0.4569
75000+ $ 0.052 ¥ 0.4352
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1754.7
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