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BZT52-B5V1_R1_00001

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 100nA 5.1V 60Ω 410mW SOD-123 贴片安装
供应商型号: BZT52-B5V1_R1_00001 SOD-123
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 齐纳(稳压)二极管 BZT52-B5V1_R1_00001

BZT52-B5V1_R1_00001概述


    产品简介


    BZT52-B2V4~BZT52-B75 系列是表面贴装硅齐纳二极管,广泛应用于自动化装配过程。其电压范围为 2.4V 至 75V,具有多种阻断电压选择。这些二极管适用于各种电路设计中,用于稳压、保护和其他信号处理应用。此外,这些产品符合欧盟RoHS2.0标准,采用无卤素绿色模塑化合物,环保且易于集成。

    技术参数


    - 最大功率耗散: 410 mW
    - 正向电压降 (IF=10mA): 0.9 V
    - 热阻:
    - 结到环境: 430 OC/W
    - 结到引脚: 320 OC/W
    - 工作结温及存储温度范围: -55至+150 OC
    - 封装: SOD-123, 模塑塑料
    - 重量: 约 0.01 克
    - 电气特性:
    - 最大电流阻抗 (ZZT @ IZT): 从 85Ω 到 250Ω
    - 反向漏电流 (IR @ VR): 从 0.1μA 到 56μA
    - 正向电流 (IF): 5.0 mA
    - 击穿电压 (V): 从 2.4V 到 75V

    产品特点和优势


    BZT52-B2V4~BZT52-B75系列齐纳二极管具有以下优势:
    - 平面晶片结构:确保高可靠性和一致性。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,环保且易于焊接。
    - 低正向电压降:0.9V的低正向电压降可减少功耗,提高效率。
    - 广泛的工作温度范围:支持在极端环境下运行。
    - 高耐压和低阻抗:可以承受较大的反向电压,同时保持较低的阻抗,适用于高精度稳压电路。

    应用案例和使用建议


    这些齐纳二极管广泛应用于各类电源和信号调节电路中。例如,在稳压电源中,它们可以作为基准电压源,确保输出电压的稳定性。在瞬态抑制电路中,这些二极管可以有效地吸收尖峰电压,保护敏感组件不受损坏。
    使用建议:
    - 选择合适的阻断电压:根据具体应用场景选择合适的阻断电压值。
    - 散热管理:由于有较高的热阻,需要注意良好的散热设计以避免过热。
    - 布局优化:合理安排电路板布局,减少寄生电容的影响,提高响应速度。

    兼容性和支持


    这些齐纳二极管与大多数标准的表面贴装设备兼容,可以轻松集成到现有电路中。供应商提供了详细的电气特性和机械数据,方便工程师进行设计和测试。对于技术支持,用户可以通过供应商的官方网站获取最新的文档和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的阻断电压?
    - 解决方案:根据电路需求和负载条件选择合适的阻断电压。通常,负载电流越大,所需的阻断电压也越高。
    2. 问题:如何确保二极管不会过热?
    - 解决方案:通过合理布局和使用散热材料来控制温度。定期检测工作温度,确保其不超过安全阈值。
    3. 问题:如何避免反向漏电流过大?
    - 解决方案:选择阻抗较低的型号,并注意布局和走线,以减少噪声和干扰。

    总结和推荐


    综上所述,BZT52-B2V4~BZT52-B75 系列齐纳二极管以其优异的电气性能、高可靠性和广泛的适用性,在各种电源和信号调节电路中表现出色。我们强烈推荐这些产品给需要高性能稳压和保护应用的工程师和设计师。

BZT52-B5V1_R1_00001参数

参数
标称齐纳电压 5.1V
配置 -
最大功率 0.41
Ir - 反向电流 100nA
最大齐纳阻抗 60Ω
电压容差 -
最大功率耗散 410mW
通用封装 SOD-123
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BZT52-B5V1_R1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 齐纳(稳压)二极管 PANJIT/台湾强茂 BZT52-B5V1_R1_00001 BZT52-B5V1_R1_00001数据手册

BZT52-B5V1_R1_00001封装设计

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