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PJQ4444P-AU_R2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2.4W(Ta),60W(Tc) 2.5V@ 250µA 25nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 5.5mΩ@ 20A,10V 70mA 1.258nF@25V DFN-3333-8L 贴片安装
供应商型号: 3757-PJQ4444P-AU_R2_000A1CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ4444P-AU_R2_000A1

PJQ4444P-AU_R2_000A1参数

参数
栅极电荷 25nC@ 4.5 V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
最大功率耗散 2.4W(Ta),60W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70mA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-3333-8L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJQ4444P-AU_R2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ4444P-AU_R2_000A1 PJQ4444P-AU_R2_000A1数据手册

PJQ4444P-AU_R2_000A1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.61 ¥ 13.6045
10+ $ 0.9515 ¥ 8.04
100+ $ 0.6076 ¥ 5.0846
500+ $ 0.4749 ¥ 3.9745
1000+ $ 0.4322 ¥ 3.6173
库存: 1187
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 13.6
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