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2N7002K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 350mW 20V 2.5V 0.8nC(Max) @ 5V 1个N沟道 60V 3Ω@ 10V 300μA 35pF(Max) @ 25V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 14M-2N7002K SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) 2N7002K

2N7002K概述

    2N7002K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    2N7002K 是一款由Panjit International Inc.生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。它主要应用于电池供电系统和固态继电器驱动器,如继电器、显示器、灯、电磁阀、存储器等。该产品采用了先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计,使其具有非常低的导通电阻和极低的漏电流。此外,它还具备静电放电保护功能,符合RoHS标准,适用于绿色环保需求。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大栅源电压:6 V
    - 漏源电压:60 V
    - 最大漏极电流:3 A(脉冲宽度小于300 μs,占空比小于2%)
    - 最大功耗:52°C时为0.12 W,57°C时为0.053 W
    - 结温:-55°C至150°C
    - 电气特性
    - 在VGS@10V、IDS@500mA条件下的导通电阻:3Ω
    - 在VGS@4.5V、IDS@200mA条件下的导通电阻:4Ω
    - 阈值电压:2 V
    - 源漏击穿电压:60 V
    - 栅电荷:Qg@VGS=5V时为10 nC
    - 输入电容:Ciss@VGS=0V时为10 pF(f=1 MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:导通电阻低至3Ω(VGS@10V、IDS@500mA),有效减少电路中的能耗。
    - 高密度单元设计:采用先进的沟槽工艺技术,保证了产品的高可靠性。
    - 静电放电保护:具备2KV的人体模型(HBM)静电放电保护功能。
    - 符合RoHS标准:材料选择符合环保要求。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下正常工作,适合广泛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    2N7002K MOSFET主要应用于电池供电系统、固态继电器驱动、继电器控制、LED驱动等领域。例如,在固态继电器中,它可以有效地控制和驱动各种负载,包括继电器、显示灯等。
    使用建议:
    - 确保正确安装散热片,以避免因过热导致的损坏。
    - 注意合理布线,以减少信号干扰。
    - 定期检查电路,确保连接可靠,防止因松动引起的故障。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N7002K MOSFET与常见的印刷电路板(PCB)材料兼容,可以轻松集成到现有电路设计中。
    - 支持:制造商提供了详细的技术手册和应用指南,用户可以通过制造商官网获取更多技术支持和更新信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:确认VGS电压是否达到要求的水平,检查是否有接线错误。

    - 问题:击穿电压不足
    - 解决方案:确认VDS电压是否在规定范围内,确保安装过程无误。

    - 问题:温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,优化散热设计。

    总结和推荐


    2N7002K是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET。其低导通电阻和高密度单元设计使得它在多种应用中表现出色。其宽泛的工作温度范围和良好的静电放电保护功能使其成为电子工程师的理想选择。推荐在需要高效能和可靠性的场合使用。

2N7002K参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 350mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF(Max) @ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Id-连续漏极电流 300μA
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 0.8nC(Max) @ 5V
通道数量 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

2N7002K数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 2N7002K 2N7002K数据手册

2N7002K封装设计

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