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PJD7NA60_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 140W(Tc) 4V@ 250µA 15.2nC@ 10 V 1个N沟道 600V 1.2Ω@ 3.5A,10V 7mA 723pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 3757-PJD7NA60_L2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD7NA60_L2_00001

PJD7NA60_L2_00001概述

    # 600V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    600V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是专为高压电力转换应用设计的高效能电子元件。该系列包括PPJU7NA60、PJD7NA60、PJP7NA60 和 PJF7NA60四种型号,适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率控制电路。其核心功能包括电压切换、电流调节和功率转换,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是根据技术手册中提供的参数整理的主要技术规格:
    - 电压规格
    - 栅极-源极电压(VGS):±30V
    - 漏极-源极电压(VDS):600V
    - 电流规格
    - 持续漏极电流(ID):7A
    - 脉冲漏极电流(IDM):28A
    - 其他特性
    - 雪崩能量(EAS):489mJ
    - 功耗(PD):140W(TO-251AA/TO-252AA),145W(TO-220AB),45W(ITO-220AB-F)
    - 热阻(RθJA):110°C/W(TO-251AA/TO-252AA),62.5°C/W(TO-220AB),120°C/W(ITO-220AB-F)
    - 温度范围
    - 工作温度范围(TJ):-55°C至150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)):在VGS=10V,ID=3.5A时,典型值为1.02Ω,最大值为1.2Ω,保证了高效率和低损耗。
    - 高速开关:高开关速度和改善的dv/dt能力使得其适用于高频应用。
    - 低栅极电荷:15.2nC(Qg),降低了开关过程中的能量损失。
    - 低反向转移电容:2pF(Crss),减少了开关过程中的干扰和电磁干扰。
    - 绿色环保材料:符合欧盟RoHS标准,采用无铅材料,绿色模塑化合物满足IEC 61249标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于各种功率转换应用,如开关电源、电机驱动和逆变器等。例如,在一个典型的开关电源设计中,该MOSFET用于高频率切换以实现高效的能量转换。

    - 使用建议:
    - 确保在选择外围元件时,其耐压能力和额定电流均高于MOSFET的工作参数。
    - 在安装过程中注意散热设计,特别是在高功率应用中,以确保MOSFET工作在安全温度范围内。
    - 在高频应用中,考虑寄生电容对性能的影响,并进行适当补偿。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品提供了多种封装选项(TO-251AA、TO-252AA、TO-220AB、ITO-220AB-F),易于与其他标准封装元件配合使用。
    - 支持和维护:厂商提供详细的电气特性和热特性数据,帮助客户进行系统设计和调试。同时,提供详细的故障排除指南和常见问题解答,以便用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高功率下工作时过热。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,优化散热设计。确保使用适当的散热材料,如导热膏,以增强热传导效率。
    - 问题2:设备在高频应用中出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查外部电容和电感值是否匹配,并优化电路布局,减少寄生电容和电感的影响。
    - 问题3:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:降低栅极电阻,缩短引线长度,减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    该600V N-Channel MOSFET系列产品具有出色的性能和多功能性,适用于广泛的高压电力转换应用。其低导通电阻、高速开关能力、低栅极电荷和绿色环保材料使其在市场上具备较强的竞争优势。因此,我们强烈推荐这些产品用于需要高效能、可靠性强的应用场景。

PJD7NA60_L2_00001参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 723pF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 7mA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 3.5A,10V
最大功率耗散 140W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 15.2nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

PJD7NA60_L2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD7NA60_L2_00001 PJD7NA60_L2_00001数据手册

PJD7NA60_L2_00001封装设计

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