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PJA3460-AU_R1_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1.25W(Ta) 2.5V@ 250µA 9.3nC@ 10 V 1个N沟道 60V 75mΩ@ 2A,10V 2.5mA 509pF@15V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 14M-PJA3460-AU_R1_000A1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3460-AU_R1_000A1

PJA3460-AU_R1_000A1概述


    产品简介


    PPJA3460-AU 是一款N沟道增强模式MOSFET,其设计适用于开关负载和脉冲宽度调制(PWM)应用。该产品具有耐高压特性,额定电压为60V,最大连续漏极电流为2.5A,采用SOT-23封装。此外,PPJA3460-AU已经通过了AEC-Q101认证,符合欧盟RoHS 2.0标准,并采用了无卤素的绿色模塑化合物。这些特性使其成为汽车电子、工业控制、消费电子等领域不可或缺的选择。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(ID):2.5A
    - 脉冲漏极电流(IDM):10A
    - 热阻(RθJA):100°C/W
    - 最大工作结温(TJ,TSTG):-55°C至150°C
    - 门限电压(VGS(th)):1V至2.5V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V, ID=2A时 < 75mΩ;在VGS=4.5V, ID=1A时 < 90mΩ
    - 栅源泄漏电流(IGSS):-100nA至+100nA

    产品特点和优势


    PPJA3460-AU的优势在于其先进的沟槽工艺技术,这使得它具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而在高功率应用中表现出色。该产品特别适合用于需要高速开关和低损耗的应用场合。另外,它的无卤素和环保材料使得它更符合当前市场对环保产品的需求。此外,PPJA3460-AU已通过严格的AEC-Q101认证,保证了其在汽车领域的可靠性。

    应用案例和使用建议


    PPJA3460-AU广泛应用于各种领域,如汽车电子、电源管理、电机驱动和LED照明等。例如,在汽车电子领域,它可以作为电源转换器的一部分,帮助实现高效能和高可靠性的电力传输。为了最大化利用其性能,建议在电路设计时确保正确的散热措施,并根据应用需求选择合适的驱动电路。

    兼容性和支持


    PPJA3460-AU采用SOT-23封装,与其他同类SOT-23封装的产品具有良好的兼容性。Panjit International Inc.为用户提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分利用该产品的潜力。此外,该产品经过严格的测试和验证,以确保其稳定性和可靠性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免因过热而导致的损坏?
    - 解决方案:在电路设计中考虑适当的散热措施,如增加散热片或使用更好的散热材料。此外,合理规划工作周期,避免长时间高负载运行。

    - 问题2:在高温环境下工作时,导通电阻是否会增大?
    - 解决方案:PPJA3460-AU的导通电阻随温度变化较小,但长期高温运行可能会影响性能。确保电路中有有效的温度监控和保护机制。

    总结和推荐


    综上所述,PPJA3460-AU是一款高性能、高可靠性的N沟道增强模式MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻、先进的工艺技术和环保材料使其在市场上具备较强的竞争优势。我们强烈推荐该产品给那些需要高效率和高可靠性的电子系统设计师和制造商。

PJA3460-AU_R1_000A1参数

参数
Id-连续漏极电流 2.5mA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 2A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 9.3nC@ 10 V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 509pF@15V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJA3460-AU_R1_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3460-AU_R1_000A1 PJA3460-AU_R1_000A1数据手册

PJA3460-AU_R1_000A1封装设计

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