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2N7002KDW_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 200mW 20V 2.5V 0.8nC(Max) @ 4.5V 2个N沟道 60V 3Ω@ 10V 100μA 35pF(Max) @ 25V SOT-363 贴片安装
供应商型号: 241-2N7002KDWR200001
供应商: Mouser
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) 2N7002KDW_R2_00001

2N7002KDW_R2_00001参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF(Max) @ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 10V
最大功率耗散 200mW
配置 -
栅极电荷 0.8nC(Max) @ 4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 100μA
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装

2N7002KDW_R2_00001数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 2N7002KDW_R2_00001 2N7002KDW_R2_00001数据手册

2N7002KDW_R2_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 0.0324 ¥ 0.2738
20000+ $ 0.0313 ¥ 0.2647
50000+ $ 0.0284 ¥ 0.2396
100000+ $ 0.0242 ¥ 0.2041
库存: 0
起订量: 10000 增量: 1
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