处理中...

首页  >  产品百科  >  PJQ4466AP_R2_00001

PJQ4466AP_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个N沟道 60V 33mA DFN-3333-8L
供应商型号: 3757-PJQ4466AP_R2_00001CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJQ4466AP_R2_00001

PJQ4466AP_R2_00001参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 33mA
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN-3333-8L
包装方式 卷带包装

PJQ4466AP_R2_00001数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJQ4466AP_R2_00001 PJQ4466AP_R2_00001数据手册

PJQ4466AP_R2_00001封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.9545 ¥ 8.0655
10+ $ 0.5584 ¥ 4.7181
100+ $ 0.3482 ¥ 2.9139
500+ $ 0.2663 ¥ 2.2288
1000+ $ 0.2399 ¥ 2.008
2000+ $ 0.2177 ¥ 1.8221
库存: 3
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336